| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-35页 |
| ·纳米技术和微纳电子学 | 第13-14页 |
| ·纳米材料的特殊性质 | 第14-17页 |
| ·量子尺寸效应 | 第14-15页 |
| ·小尺寸效应 | 第15-16页 |
| ·表面效应 | 第16页 |
| ·宏观量子隧道效应 | 第16-17页 |
| ·纳米材料的表征技术 | 第17-20页 |
| ·透射电子显微镜 | 第17-18页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第18-19页 |
| ·X 射线衍射 | 第19-20页 |
| ·一维半导体纳米材料的制备方法 | 第20-26页 |
| ·气相方法 | 第21-23页 |
| ·液相方法 | 第23-26页 |
| ·一维纳米结构的排列技术 | 第26-30页 |
| ·溶剂蒸发法 | 第26-27页 |
| ·微电场法 | 第27-28页 |
| ·微流体法 | 第28页 |
| ·LB 膜法 | 第28-29页 |
| ·光学俘获法 | 第29-30页 |
| ·一维纳米线电子器件 | 第30-33页 |
| ·均匀半导体纳米线器件 | 第30-32页 |
| ·异质结纳米线器件 | 第32-33页 |
| ·本文的立论依据和主要创新点 | 第33-35页 |
| 第二章 碲纳米线的可控合成 | 第35-46页 |
| ·引言 | 第35-37页 |
| ·实验部分 | 第37-38页 |
| ·原料与试剂 | 第37页 |
| ·碲纳米线的制备 | 第37-38页 |
| ·测试与表征 | 第38页 |
| ·结果与讨论 | 第38-45页 |
| ·不同的表面活性剂对碲纳米线合成的影响 | 第38-40页 |
| ·SDBS 作表面活性剂时碲纳米线的可控合成 | 第40-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第三章 硒碲异质结纳米线的可控合成 | 第46-58页 |
| ·引言 | 第46-47页 |
| ·实验部分 | 第47-48页 |
| ·原料与试剂 | 第47页 |
| ·硒碲异质结纳米线的合成 | 第47页 |
| ·测试与表征 | 第47-48页 |
| ·结果与讨论 | 第48-57页 |
| ·不同形貌的硒碲异质结纳米线性质表征 | 第48-53页 |
| ·异质结纳米线生长机理的研究 | 第53-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第四章 硒、碲纳米线的绿色合成 | 第58-72页 |
| ·引言 | 第58页 |
| ·实验部分 | 第58-60页 |
| ·原料与试剂 | 第58-59页 |
| ·硒纳米线的合成 | 第59页 |
| ·碲纳米线的合成 | 第59页 |
| ·测试与表征 | 第59-60页 |
| ·结果与讨论 | 第60-71页 |
| ·硒纳米线的性质 | 第60-62页 |
| ·碲纳米线的性质 | 第62-71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 第五章 硒、碲纳米线场效应晶体管的输运特性 | 第72-84页 |
| ·引言 | 第72页 |
| ·场效应晶体管的制备 | 第72-75页 |
| ·纳米线在基片上的分散 | 第72-73页 |
| ·紫外光刻工序 | 第73-74页 |
| ·金属电极制备 | 第74-75页 |
| ·单纳米线场效应晶体管测试及主要性能参数的计算 | 第75-77页 |
| ·晶体管器件的性能测试 | 第75页 |
| ·晶体管器件性能参数的计算 | 第75-77页 |
| ·结果与讨论 | 第77-83页 |
| ·硒纳米线场效应晶体管 | 第77-79页 |
| ·碲纳米线场效应晶体管 | 第79-83页 |
| ·本章小结 | 第83-84页 |
| 第六章 硒、碲化合物纳米线的制备及其微纳米电子器件性能表征 | 第84-94页 |
| ·引言 | 第84-85页 |
| ·实验部分 | 第85-86页 |
| ·原料与试剂 | 第85页 |
| ·Cu_xSe、Ag_2Te 纳米线的合成 | 第85页 |
| ·器件制备 | 第85-86页 |
| ·测试与表征 | 第86页 |
| ·结果与讨论 | 第86-93页 |
| ·CuxSe 纳米线及其相变存储器件 | 第86-90页 |
| ·Ag_2Te 纳米线及其 FET 器件 | 第90-91页 |
| ·Te/Ag_2Te 异质结纳米线及其整流效应 | 第91-93页 |
| ·本章小结 | 第93-94页 |
| 结论 | 第94-96页 |
| 参考文献 | 第96-111页 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第111-113页 |
| 致谢 | 第113页 |