多晶硅纳米薄膜压阻特性及其压力传感器应用研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-24页 |
| ·研究背景 | 第12-13页 |
| ·国内外研究现状 | 第13-22页 |
| ·多晶硅及隧道压阻理论的研究现状 | 第13-19页 |
| ·多晶硅压力传感器的研究现状 | 第19-22页 |
| ·研究目的和意义 | 第22-23页 |
| ·论文主要研究内容 | 第23-24页 |
| 第2章 工艺条件对多晶硅纳米薄膜压阻特性的影响 | 第24-50页 |
| ·多晶硅薄膜的制备与结构表征 | 第24-33页 |
| ·不同厚度的多晶硅薄膜 | 第24-30页 |
| ·不同淀积温度的多晶硅纳米薄膜 | 第30-32页 |
| ·不同掺杂浓度的多晶硅纳米薄膜 | 第32-33页 |
| ·工艺条件对多晶硅纳米薄膜压阻特性的影响 | 第33-43页 |
| ·膜厚对多晶硅薄膜压阻特性的影响 | 第33-36页 |
| ·淀积温度对多晶硅纳米薄膜压阻特性的影响 | 第36-39页 |
| ·掺杂浓度对多晶硅纳米薄膜压阻特性的影响 | 第39-43页 |
| ·工艺条件对多晶硅纳米薄膜压阻非线性的影响 | 第43-48页 |
| ·单晶硅压阻非线性 | 第43-44页 |
| ·掺杂浓度对多晶硅纳米薄膜压阻非线性的影响 | 第44-45页 |
| ·多晶硅纳米薄膜压阻非线性分析 | 第45-48页 |
| ·多晶硅纳米薄膜优化工艺条件 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第3章 多晶硅纳米薄膜的杨氏模量研究 | 第50-67页 |
| ·单晶硅的杨氏模量 | 第50-52页 |
| ·方向余弦矩阵、欧拉角与立体角 | 第52-55页 |
| ·多晶硅纳米薄膜的晶粒模型 | 第55-58页 |
| ·多晶硅纳米薄膜的杨氏模量 | 第58-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第4章 多晶硅纳米薄膜的压力传感器应用研究 | 第67-92页 |
| ·半导体的压阻效应 | 第67-68页 |
| ·多晶硅压力传感器的工作原理 | 第68-70页 |
| ·多晶硅纳米膜压力传感器的设计 | 第70-85页 |
| ·有限元分析法 | 第70-74页 |
| ·多晶硅纳米膜压力传感器的结构优化设计 | 第74-81页 |
| ·多晶硅纳米薄膜压敏电阻的设计 | 第81-82页 |
| ·压力传感器版图设计 | 第82-85页 |
| ·多晶硅纳米膜压力传感器的制作 | 第85-90页 |
| ·工艺流程 | 第85-87页 |
| ·芯片与传感器样品 | 第87-89页 |
| ·掺杂浓度的控制 | 第89-90页 |
| ·本章小结 | 第90-92页 |
| 第5章 多晶硅纳米膜压力传感器的测试与分析 | 第92-102页 |
| ·压力传感器静态特性技术指标 | 第92-95页 |
| ·校准曲线、工作直线和满量程输出 | 第92-93页 |
| ·重复性、迟滞和线性度 | 第93-94页 |
| ·基本误差、灵敏度和零点输出 | 第94-95页 |
| ·测试系统与测试方法 | 第95-96页 |
| ·测试结果与分析 | 第96-101页 |
| ·测试结果 | 第96-99页 |
| ·零点热漂移分析 | 第99-100页 |
| ·灵敏度热漂移分析 | 第100-101页 |
| ·本章小结 | 第101-102页 |
| 结论 | 第102-103页 |
| 参考文献 | 第103-113页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文及其它成果 | 第113-115页 |
| 致谢 | 第115-116页 |
| 个人简历 | 第116页 |
