| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·CR与DR的发展 | 第8-11页 |
| ·波导屏X射线成像技术的发展 | 第11-14页 |
| ·课题研究的内容及意义 | 第14-15页 |
| 第二章 波导屏的组成及原理 | 第15-27页 |
| ·CsI(Tl)闪烁晶体材料基本性质 | 第15-19页 |
| ·电化学刻蚀微通道阵列形成原理 | 第19-25页 |
| ·CCD原理 | 第25-27页 |
| 第三章 硅微通道阵列的加工 | 第27-40页 |
| ·微通道阵列刻蚀装置 | 第27-29页 |
| ·电化学刻蚀微通道阵列的流程 | 第29-30页 |
| ·加工微通道阵列的影响因素 | 第30-40页 |
| 第四章 CsI(Tl)的填充与matlab模拟实验 | 第40-49页 |
| ·CsI(Tl)的填充方案 | 第40-41页 |
| ·CsI(Tl)的光电效应模型与康普顿散射模型 | 第41-45页 |
| ·模拟结果与讨论 | 第45-49页 |
| 第五章 总结 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-52页 |