| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第11-26页 |
| 1.1 硅材料的发现和应用 | 第11-12页 |
| 1.2 硼掺杂单晶硅 | 第12-14页 |
| 1.2.1 单晶硅中的硼 | 第12-13页 |
| 1.2.2 硼掺杂单晶硅的基本特性 | 第13-14页 |
| 1.3 硼掺杂单晶硅中的氧及氧沉淀 | 第14-19页 |
| 1.3.1 硼掺杂单晶硅中氧的来源 | 第14页 |
| 1.3.2 硼掺杂单晶硅中氧的固溶度 | 第14-15页 |
| 1.3.3 硼掺杂单晶硅中氧的扩散 | 第15-16页 |
| 1.3.4 硼掺杂单晶硅中的氧沉淀 | 第16-18页 |
| 1.3.5 重掺硼单晶中氧沉淀的行为 | 第18-19页 |
| 1.4 硼掺杂单晶硅中的缺陷 | 第19-21页 |
| 1.4.1 硼掺杂单晶硅中的本征点缺陷 | 第19-20页 |
| 1.4.2 硼掺杂单晶硅中的氧化诱生缺陷 | 第20-21页 |
| 1.5 单晶硅的吸杂工艺研究 | 第21-24页 |
| 1.5.1 传统(高-低-高)内吸杂工艺 | 第21-22页 |
| 1.5.2 MDZ(magic denuded zone)内吸杂工艺 | 第22-24页 |
| 1.6 本课题研究的意义及内容 | 第24-26页 |
| 1.6.1 研究背景及意义 | 第24页 |
| 1.6.2 本课题的研究内容 | 第24-26页 |
| 第二章 实验样品及仪器设备 | 第26-33页 |
| 2.1 实验样品及其制备 | 第26-27页 |
| 2.1.1 实验样品 | 第26页 |
| 2.1.2 样品的制备 | 第26-27页 |
| 2.2 实验仪器设备 | 第27-29页 |
| 2.2.1 退火设备 | 第27-29页 |
| 2.3 测试分析方法及设备 | 第29-33页 |
| 2.3.1 缺陷腐蚀技术 | 第29-30页 |
| 2.3.2 光学显微镜 | 第30-31页 |
| 2.3.3 傅立叶红外光谱仪(FTIR) | 第31-32页 |
| 2.3.4 二次离子质谱仪(SIMS) | 第32页 |
| 2.3.5 四探针测试仪 | 第32-33页 |
| 第三章 快速热处理对轻掺硼单晶硅中微缺陷和洁净区形成的影响 | 第33-51页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 Ar气氛下RTP对轻掺硼单晶硅中体微缺陷和洁净区形成的影响 | 第33-38页 |
| 3.2.1 实验方案 | 第33-34页 |
| 3.2.2 实验结果 | 第34-37页 |
| 3.2.3 结果讨论 | 第37-38页 |
| 3.3 O_2气氛下RTP对轻掺硼单晶硅中体微缺陷和洁净区形成的影响 | 第38-41页 |
| 3.3.1 实验方案 | 第38页 |
| 3.3.2 实验结果 | 第38-40页 |
| 3.3.3 结果讨论 | 第40-41页 |
| 3.4 Ar/O_2气氛下两步RTP对轻掺硼单晶硅中体微缺陷和洁净区形成的影响 | 第41-45页 |
| 3.4.1 实验方案 | 第41-42页 |
| 3.4.2 实验结果 | 第42-45页 |
| 3.4.3 结果讨论 | 第45页 |
| 3.5 O_2/Ar气氛下两步RTP对轻掺硼单晶硅中体微缺陷和洁净区形成的影响 | 第45-49页 |
| 3.5.1 实验方案 | 第45-46页 |
| 3.5.2 实验结果 | 第46-49页 |
| 3.5.3 结果讨论 | 第49页 |
| 3.6 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 快速热处理对重掺硼单晶硅中微缺陷和洁净区形成的影响 | 第51-67页 |
| 4.1 引言 | 第51页 |
| 4.2 Ar气氛下RTP对重掺硼单晶硅中体微缺陷和洁净区形成的影响 | 第51-54页 |
| 4.2.1 实验方案 | 第51-52页 |
| 4.2.2 实验结果 | 第52-54页 |
| 4.2.3 结果讨论 | 第54页 |
| 4.3 O_2气氛下RTP对重掺硼单晶硅中体微缺陷和洁净区形成的影响 | 第54-58页 |
| 4.3.1 实验方案 | 第54-55页 |
| 4.3.2 实验结果 | 第55-57页 |
| 4.3.3 结果讨论 | 第57-58页 |
| 4.4 Ar/O_2气氛下两步RTP对重掺硼单晶硅中体微缺陷和洁净区形成的影响 | 第58-62页 |
| 4.4.1 实验方案 | 第58-59页 |
| 4.4.2 实验结果 | 第59-62页 |
| 4.4.3 结果讨论 | 第62页 |
| 4.5 O_2/Ar气氛下两步RTP对重掺硼单晶硅中体微缺陷和洁净区形成的影响 | 第62-66页 |
| 4.5.1 实验方案 | 第63页 |
| 4.5.2 实验结果 | 第63-66页 |
| 4.5.3 结果讨论 | 第66页 |
| 4.6 本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 快速热处理对硼掺杂单晶硅表面微缺陷的调控作用 | 第67-72页 |
| 5.1 引言 | 第67页 |
| 5.2 实验 | 第67-68页 |
| 5.2.1 实验样品 | 第67页 |
| 5.2.2 样品的制备 | 第67页 |
| 5.2.3 实验方案 | 第67-68页 |
| 5.3 实验结果 | 第68-70页 |
| 5.4 结果讨论 | 第70-71页 |
| 5.5 本章小结 | 第71-72页 |
| 第六章 总结 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 个人简历及在校期间发表的学术论文与研究成果 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
