首页--工业技术论文--化学工业论文--非金属元素及其无机化合物化学工业论文--第Ⅳ族非金属元素及其无机化合物论文--硅及其无机化合物论文

硼掺杂单晶硅微缺陷及其快速热退火行为研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第一章 绪论第11-26页
    1.1 硅材料的发现和应用第11-12页
    1.2 硼掺杂单晶硅第12-14页
        1.2.1 单晶硅中的硼第12-13页
        1.2.2 硼掺杂单晶硅的基本特性第13-14页
    1.3 硼掺杂单晶硅中的氧及氧沉淀第14-19页
        1.3.1 硼掺杂单晶硅中氧的来源第14页
        1.3.2 硼掺杂单晶硅中氧的固溶度第14-15页
        1.3.3 硼掺杂单晶硅中氧的扩散第15-16页
        1.3.4 硼掺杂单晶硅中的氧沉淀第16-18页
        1.3.5 重掺硼单晶中氧沉淀的行为第18-19页
    1.4 硼掺杂单晶硅中的缺陷第19-21页
        1.4.1 硼掺杂单晶硅中的本征点缺陷第19-20页
        1.4.2 硼掺杂单晶硅中的氧化诱生缺陷第20-21页
    1.5 单晶硅的吸杂工艺研究第21-24页
        1.5.1 传统(高-低-高)内吸杂工艺第21-22页
        1.5.2 MDZ(magic denuded zone)内吸杂工艺第22-24页
    1.6 本课题研究的意义及内容第24-26页
        1.6.1 研究背景及意义第24页
        1.6.2 本课题的研究内容第24-26页
第二章 实验样品及仪器设备第26-33页
    2.1 实验样品及其制备第26-27页
        2.1.1 实验样品第26页
        2.1.2 样品的制备第26-27页
    2.2 实验仪器设备第27-29页
        2.2.1 退火设备第27-29页
    2.3 测试分析方法及设备第29-33页
        2.3.1 缺陷腐蚀技术第29-30页
        2.3.2 光学显微镜第30-31页
        2.3.3 傅立叶红外光谱仪(FTIR)第31-32页
        2.3.4 二次离子质谱仪(SIMS)第32页
        2.3.5 四探针测试仪第32-33页
第三章 快速热处理对轻掺硼单晶硅中微缺陷和洁净区形成的影响第33-51页
    3.1 引言第33页
    3.2 Ar气氛下RTP对轻掺硼单晶硅中体微缺陷和洁净区形成的影响第33-38页
        3.2.1 实验方案第33-34页
        3.2.2 实验结果第34-37页
        3.2.3 结果讨论第37-38页
    3.3 O_2气氛下RTP对轻掺硼单晶硅中体微缺陷和洁净区形成的影响第38-41页
        3.3.1 实验方案第38页
        3.3.2 实验结果第38-40页
        3.3.3 结果讨论第40-41页
    3.4 Ar/O_2气氛下两步RTP对轻掺硼单晶硅中体微缺陷和洁净区形成的影响第41-45页
        3.4.1 实验方案第41-42页
        3.4.2 实验结果第42-45页
        3.4.3 结果讨论第45页
    3.5 O_2/Ar气氛下两步RTP对轻掺硼单晶硅中体微缺陷和洁净区形成的影响第45-49页
        3.5.1 实验方案第45-46页
        3.5.2 实验结果第46-49页
        3.5.3 结果讨论第49页
    3.6 本章小结第49-51页
第四章 快速热处理对重掺硼单晶硅中微缺陷和洁净区形成的影响第51-67页
    4.1 引言第51页
    4.2 Ar气氛下RTP对重掺硼单晶硅中体微缺陷和洁净区形成的影响第51-54页
        4.2.1 实验方案第51-52页
        4.2.2 实验结果第52-54页
        4.2.3 结果讨论第54页
    4.3 O_2气氛下RTP对重掺硼单晶硅中体微缺陷和洁净区形成的影响第54-58页
        4.3.1 实验方案第54-55页
        4.3.2 实验结果第55-57页
        4.3.3 结果讨论第57-58页
    4.4 Ar/O_2气氛下两步RTP对重掺硼单晶硅中体微缺陷和洁净区形成的影响第58-62页
        4.4.1 实验方案第58-59页
        4.4.2 实验结果第59-62页
        4.4.3 结果讨论第62页
    4.5 O_2/Ar气氛下两步RTP对重掺硼单晶硅中体微缺陷和洁净区形成的影响第62-66页
        4.5.1 实验方案第63页
        4.5.2 实验结果第63-66页
        4.5.3 结果讨论第66页
    4.6 本章小结第66-67页
第五章 快速热处理对硼掺杂单晶硅表面微缺陷的调控作用第67-72页
    5.1 引言第67页
    5.2 实验第67-68页
        5.2.1 实验样品第67页
        5.2.2 样品的制备第67页
        5.2.3 实验方案第67-68页
    5.3 实验结果第68-70页
    5.4 结果讨论第70-71页
    5.5 本章小结第71-72页
第六章 总结第72-74页
参考文献第74-78页
个人简历及在校期间发表的学术论文与研究成果第78-79页
致谢第79页

论文共79页,点击 下载论文
上一篇:AlCl3+LiAlH4有机溶剂体系中铝-锰-石墨烯复合镀层的制备优化与性能研究
下一篇:聚氧乙烯基嵌段共聚物膜的多尺度结构调控和CO2分离性能强化