| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-21页 |
| 1.1 中红外半导体激光器研究背景 | 第8-9页 |
| 1.1.1 医疗应用 | 第8-9页 |
| 1.1.2 军事对抗 | 第9页 |
| 1.1.3 气体检测 | 第9页 |
| 1.2 中红外锑化物半导体激光器研究进展 | 第9-12页 |
| 1.3 中红外半导体激光器合束研究进展 | 第12-20页 |
| 1.3.1 中红外半导体激光器相干合束 | 第12-14页 |
| 1.3.2 中红外半导体激光器光谱合束 | 第14-17页 |
| 1.3.3 中红外半导体激光器偏振合束 | 第17-18页 |
| 1.3.4 中红外半导体激光器波导合束 | 第18页 |
| 1.3.5 中红外半导体激光器空间合束 | 第18-20页 |
| 1.4 论文的选题依据和研究内容 | 第20-21页 |
| 第二章 锑化物半导体激光器 | 第21-27页 |
| 2.1 锑化物量子阱激光器的材料特性 | 第21-23页 |
| 2.1.1 晶格常数 | 第21-23页 |
| 2.1.2 带隙宽度 | 第23页 |
| 2.2 GaSb基半导体激光器的制备 | 第23-26页 |
| 2.2.1 GaSb基半导体激光器的制备工艺 | 第23-24页 |
| 2.2.2 外延生长技术 | 第24-25页 |
| 2.2.3 光刻技术 | 第25页 |
| 2.2.4 刻蚀技术 | 第25-26页 |
| 2.2.5 薄膜生长技术 | 第26页 |
| 2.3 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 光谱合束原理及光学特性分析方法 | 第27-35页 |
| 3.1 光谱合束原理 | 第27-28页 |
| 3.2 高斯光束的特性 | 第28-31页 |
| 3.3 光束质量评价方法 | 第31-32页 |
| 3.4 光束质量测量方法 | 第32-34页 |
| 3.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 锑化物半导体激光器外腔研究 | 第35-51页 |
| 4.1 锑化物半导体激光器的准直 | 第35-37页 |
| 4.2 采用输出耦合镜的锑化物半导体激光器外腔研究 | 第37-50页 |
| 4.2.1 锑化物半导体激光器光电性质研究 | 第37-40页 |
| 4.2.2 采用输出耦合镜的外腔特性 | 第40-45页 |
| 4.2.3 小角度V型腔研究 | 第45-50页 |
| 4.3 本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 锑化物半导体激光器光谱合束 | 第51-57页 |
| 5.1 锑化物半导体激光器空间合束 | 第51-52页 |
| 5.2 采用输出耦合镜外腔结构的锑化物半导体激光器光谱合束 | 第52-54页 |
| 5.3 锑化物半导体激光器小角度V型腔光谱合束 | 第54-56页 |
| 5.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第六章 总结与展望 | 第57-60页 |
| 6.1 总结 | 第57-58页 |
| 6.2 展望 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-66页 |
| 附录 | 第66-68页 |
| 指导教师及作者简介 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70页 |