| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4页 |
| 第1章 绪论 | 第7-23页 |
| 1.1 研究背景 | 第7-8页 |
| 1.2 单层石墨烯(SLG)的电子结构及性质 | 第8-10页 |
| 1.2.1 电学特性 | 第9页 |
| 1.2.2 光学特性 | 第9-10页 |
| 1.2.3 力学特性 | 第10页 |
| 1.2.4 导热特性 | 第10页 |
| 1.2.5 “气球”特性 | 第10页 |
| 1.3 双层石墨烯(BLG)的电子结构及性质 | 第10-12页 |
| 1.4 石墨烯的制备方法 | 第12-15页 |
| 1.4.1 机械剥离法 | 第12页 |
| 1.4.2 氧化还原法 | 第12-13页 |
| 1.4.3 化学气相沉积(CVD)法 | 第13-15页 |
| 1.5 金属腐蚀研究背景 | 第15-16页 |
| 1.5.1 金属腐蚀的类型 | 第15-16页 |
| 1.5.2 金属的防护 | 第16页 |
| 1.6 石墨烯防腐研究现状 | 第16-21页 |
| 1.6.1 CVD石墨烯防腐薄膜 | 第17-20页 |
| 1.6.2 石墨烯防腐涂料 | 第20-21页 |
| 1.7 本文研究思路和内容 | 第21-23页 |
| 第2章 铜基石墨烯CVD生长研究 | 第23-39页 |
| 2.1 铜基底CVD石墨烯研究现状 | 第23页 |
| 2.2 铜基底CVD石墨烯生长过程的影响因素 | 第23-27页 |
| 2.2.1 铜基底对CVD石墨烯生长的影响 | 第23-24页 |
| 2.2.2 生长温度及生长时间对CVD石墨烯生长的影响 | 第24-25页 |
| 2.2.3 碳源对CVD石墨烯生长的影响 | 第25页 |
| 2.2.4 气体流量对CVD石墨烯生长的影响 | 第25-26页 |
| 2.2.5 压强对CVD石墨烯生长的影响 | 第26-27页 |
| 2.3 CVD法制备石墨烯 | 第27-32页 |
| 2.3.1 实验原料及试剂 | 第27页 |
| 2.3.2 实验仪器 | 第27-29页 |
| 2.3.3 铜箔的预处理 | 第29-30页 |
| 2.3.4 石墨烯的CVD生长 | 第30-31页 |
| 2.3.5 石墨烯的转移 | 第31-32页 |
| 2.3.6 石墨烯的表征方法 | 第32页 |
| 2.4 单层多层共存石墨烯的表征 | 第32-37页 |
| 2.4.1 退火处理对铜箔生长石墨烯的影响 | 第32-33页 |
| 2.4.2 氢气流量对铜箔生长石墨烯的影响 | 第33-36页 |
| 2.4.3 CVD石墨烯抗高温空气氧化的性能 | 第36-37页 |
| 2.5 本章小结 | 第37-39页 |
| 第3章 石墨烯不同层数对多晶铜的腐蚀和防护影响 | 第39-55页 |
| 3.1 研究背景 | 第39页 |
| 3.2 实验内容与表征手段 | 第39-43页 |
| 3.2.1 石墨烯的制备 | 第39-40页 |
| 3.2.2 表征方法 | 第40-43页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第43-54页 |
| 3.3.1 单层石墨烯对铜的促腐蚀作用 | 第44-45页 |
| 3.3.2 晶粒取向对铜箔腐蚀速率的影响 | 第45-48页 |
| 3.3.3 双层石墨烯对铜箔的防腐作用 | 第48-49页 |
| 3.3.4 单层促腐与双层防腐机理的研究 | 第49-54页 |
| 3.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第4章 全文结论 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-66页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68页 |