| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第12-28页 |
| 1.1 引言 | 第12-14页 |
| 1.2 铜互连 | 第14-18页 |
| 1.2.1 互连的定义及互连危机 | 第14-15页 |
| 1.2.2 互连线材料的发展 | 第15-17页 |
| 1.2.3 铜互连线的发展现状及优缺点 | 第17-18页 |
| 1.3 扩散阻挡层 | 第18-26页 |
| 1.3.1 扩散阻挡层的性能要求 | 第18-19页 |
| 1.3.2 扩散阻挡层的制备方法 | 第19-21页 |
| 1.3.3 扩散阻挡层的分类 | 第21-23页 |
| 1.3.4 扩散阻挡层的表征方法 | 第23-26页 |
| 1.4 论文研究目的及意义 | 第26页 |
| 1.5 实验内容及研究路线 | 第26-28页 |
| 1.5.1 实验内容 | 第26-27页 |
| 1.5.2 研究路线 | 第27-28页 |
| 第二章 实验 | 第28-33页 |
| 2.1 化学镀 | 第28页 |
| 2.2 实验所用仪器与药品 | 第28-30页 |
| 2.3 NiRB/Cu/NiRB/Si(R=Cr/Co)样品的制备及表征 | 第30-33页 |
| 2.3.1 Si片预处理 | 第30页 |
| 2.3.2 化学镀NiRB/Si(R=Cr/Co)和NiRB/Cu/N iRB/Si(R=Cr/Co)薄膜及退火实验 | 第30-32页 |
| 2.3.3 NiRB/Si(R=Cr/Co)和NRB/Cu/NiRB/Si(R=Cr/Co)样品的表征 | 第32-33页 |
| 第三章 实验条件的优化 | 第33-71页 |
| 3.1 化学镀制备NiCrB薄膜实验条件的优化 | 第33-47页 |
| 3.1.1 Na_3C_6H_5O_7·2H_2O浓度对NiCrB薄膜沉积速率和电阻率的影响 | 第34-36页 |
| 3.1.2 NH_4F浓度对NiCrB薄膜沉积速率和电阻率的影响 | 第36-37页 |
| 3.1.3 NiSO_4·6H_2O浓度对NiCrB薄膜沉积速率和电阻率的影响 | 第37-38页 |
| 3.1.4 CrCl_3·6H_2O浓度对NiCrB薄膜沉积速率和电阻率的影响 | 第38-40页 |
| 3.1.5 DMAB浓度对NiCrB薄膜沉积速率和电阻率的影响 | 第40-41页 |
| 3.1.6 CH_3COONa·2H_2O浓度对NiCrB薄膜沉积速率和电阻率的影响 | 第41-43页 |
| 3.1.7 NaF浓度对NiCrB薄膜沉积速率和电阻率的影响 | 第43-44页 |
| 3.1.8 温度T对NiCrB薄膜沉积速率和电阻率的影响 | 第44-45页 |
| 3.1.9 pH对NiCrB薄膜沉积速率和电阻率的影响 | 第45-47页 |
| 3.2 化学镀制备NiCoB薄膜实验条件的优化 | 第47-59页 |
| 3.2.1 DMAB浓度对NiCoB薄膜沉积速率和电阻率的影响 | 第48-49页 |
| 3.2.2 NiSO_4·6H_2O浓度对NiCoB薄膜沉积速率和电阻率的影响 | 第49-50页 |
| 3.2.3 CoSO_4·7 H_2O浓度对NiCoB薄膜沉积速率和电阻率的影响 | 第50-52页 |
| 3.2.4 Na_3C_6H_5O_7·2H_2O浓度对NiCoB薄膜沉积速率和电阻率的影响 | 第52-53页 |
| 3.2.5 C_4H_4O_6KNa·4H_2O浓度对NiCoB薄膜沉积速率和电阻率的影响 | 第53-54页 |
| 3.2.6 CH_3COONa·3H_2O浓度对NiCoB薄膜沉积速率和电阻率的影响 | 第54-56页 |
| 3.2.7 NH_4F浓度对NiCoB薄膜沉积速率和电阻率的影响 | 第56-57页 |
| 3.2.8 温度T对NiCoB薄膜沉积速率和电阻率的影响 | 第57-58页 |
| 3.2.9 pH对NiCoB薄膜沉积速率和电阻率的影响 | 第58-59页 |
| 3.3 化学镀制备Cu薄膜实验条件的优化 | 第59-69页 |
| 3.3.1 CuSO_4·5H_2O浓度对Cu薄膜沉积速率和电阻率的影响 | 第60-62页 |
| 3.3.2 CHOCOOH·H_2O浓度对Cu薄膜沉积速率和电阻率的影响 | 第62-63页 |
| 3.3.3 EDTA-2Na浓度对Cu薄膜沉积速率和电阻率的影响 | 第63-64页 |
| 3.3.4 C_6H_8O_7·H_2O浓度对Cu薄膜沉积速率和电阻率的影响 | 第64-66页 |
| 3.3.5 α,α’联吡啶浓度对Cu薄膜沉积速率和电阻率的影响 | 第66-67页 |
| 3.3.6 温度T对Cu薄膜沉积速率和电阻率的影响 | 第67-68页 |
| 3.3.7 pH对Cu薄膜沉积速率和电阻率的影响 | 第68-69页 |
| 3.4 本章小结 | 第69-71页 |
| 第四章 薄膜材料的表征 | 第71-90页 |
| 4.1 NiCrB薄膜的表征 | 第71-79页 |
| 4.1.1 元素价态表征 | 第71-73页 |
| 4.1.2 物相表征 | 第73-75页 |
| 4.1.3 方块电阻表征 | 第75-76页 |
| 4.1.4 表面形貌表征 | 第76-79页 |
| 4.2 NiCoB薄膜的表征 | 第79-86页 |
| 4.2.1 元素价态表征 | 第79-81页 |
| 4.2.2 物相表征 | 第81-83页 |
| 4.2.3 方块电阻表征 | 第83-84页 |
| 4.2.4 表面形貌表征 | 第84-86页 |
| 4.3 Cu薄膜的表征 | 第86-87页 |
| 4.4 NiCrB薄膜和NiCoB薄膜阻挡性能的比较 | 第87-89页 |
| 4.5 本章小结 | 第89-90页 |
| 第五章 结论和展望 | 第90-92页 |
| 5.1 结论 | 第90-91页 |
| 5.2 展望 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-100页 |
| 攻读硕士期间发表论文及所获奖励 | 第100-101页 |
| 致谢 | 第101页 |
