| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-27页 |
| 1.1 VO_2的研究背景 | 第11-19页 |
| 1.1.1 VO_2的基本介绍 | 第11-13页 |
| 1.1.2 VO_2相变的特点 | 第13-18页 |
| 1.1.3 VO_2的MIT相变理论模型及机理研究 | 第18-19页 |
| 1.2 VO_2的应用 | 第19-22页 |
| 1.2.1 电极材料中的应用 | 第19-20页 |
| 1.2.2 节能材料中的应用 | 第20-21页 |
| 1.2.3 记忆存储超材料中的应用 | 第21-22页 |
| 1.2.4 其他方面的应用 | 第22页 |
| 1.3 VO_2薄膜的制备 | 第22-25页 |
| 1.3.1 溅射法制备VO_2薄膜 | 第22-23页 |
| 1.3.2 真空蒸镀法制备VO_2薄膜 | 第23-24页 |
| 1.3.3 高真空蒸镀法制备VO_2薄膜 | 第24页 |
| 1.3.4 化学气相沉积(CVD)法制备VO_2薄膜 | 第24-25页 |
| 1.3.5 溶胶-凝胶(sol-gel)法制备VO_2薄膜 | 第25页 |
| 1.4 本课题的选题依据和主要研究 | 第25-27页 |
| 1.4.1 选题依据 | 第25-26页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第26-27页 |
| 第2章 VO_2外延超薄薄膜的制备工艺与表征测试 | 第27-44页 |
| 2.1 表征技术 | 第27-36页 |
| 2.1.1 低能毯子衍射技术(Low Energy Electron Diffraction,LEED) | 第27-30页 |
| 2.1.2 X射线光电子能谱技术(X-ray Photoemission Spectroscopy, XPS) | 第30-33页 |
| 2.1.3 扫描隧道显微镜技术(Scanning Tunneling Microscopy, STM) | 第33-36页 |
| 2.2 VO_2外延超薄薄膜的生长技术及制备工艺 | 第36-44页 |
| 2.2.1 电子束蒸发技术(Electron Beam evaporator,EBE) | 第36-37页 |
| 2.2.2 衬底的选择和处理 | 第37-42页 |
| 2.2.3 VO_2外延超薄薄膜的制备工艺 | 第42-44页 |
| 第3章 氧分压、生长速率、衬底温度对氧化钒薄膜Ⅴ价态的影响 | 第44-51页 |
| 3.1 样品的制备 | 第44-45页 |
| 3.2 实验结果与讨论 | 第45-49页 |
| 3.2.1 沉积氧压对氧化钒薄膜V价态的影响 | 第45-46页 |
| 3.2.2 沉积速率对氧化钒薄膜V价态的影响 | 第46-48页 |
| 3.2.3 衬底温度对氧化钒薄膜V价态的影响 | 第48-49页 |
| 3.3 本章小结 | 第49-51页 |
| 第4章 VO_2外延超薄薄膜生长以及MIT相变的初步探究 | 第51-65页 |
| 4.1 样品的制备 | 第51页 |
| 4.2 实验结果与讨论 | 第51-62页 |
| 4.2.1 不同生长方式对VO_2超薄薄膜形貌的影响 | 第51-55页 |
| 4.2.2 不同沉积速率对VO_2超薄薄膜形貌的影响 | 第55-62页 |
| 4.3 VO_2超薄薄膜MIT相变的初步探究 | 第62-64页 |
| 4.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 全文结论 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-76页 |
| 附录 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
