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铝诱导多晶硅薄膜取向生长及外延优化

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第一章 绪论第11-21页
    1.1 引言第11-13页
    1.2 多晶硅薄膜概述第13-14页
        1.2.1 多晶硅薄膜性质第13-14页
        1.2.2 多晶硅薄膜制备方法第14页
    1.3 铝诱导多晶硅薄膜概述第14-19页
        1.3.1 铝诱导多晶硅薄膜的优势第15-16页
        1.3.2 铝诱导多晶硅薄膜研究进展第16-18页
        1.3.3 AIC应用于外延及太阳能电池的研究进展第18-19页
    1.4 论文选题意义及章节安排第19-21页
第二章 薄膜制备与表征第21-29页
    2.1 实验仪器与原料第21-22页
    2.2 磁控溅射及反应原理介绍第22-23页
    2.3 PECVD简介第23-24页
    2.4 XRD衍射仪第24-25页
    2.5 扫描电子显微镜(SEM)第25-26页
    2.6 拉曼散射第26-27页
    2.7 原子力显微(AFM)第27-29页
第三章 铝诱导Si (111)取向生长第29-46页
    3.1 材料的选择第29-30页
        3.1.1 铝的选择第29-30页
        3.1.2 硅材料的选择第30页
    3.2 薄膜制备第30-35页
        3.2.1 非晶硅薄膜的制备第30-33页
        3.2.2 非晶硅与铝薄膜制备条件的确定第33-34页
        3.2.3 二氧化硅制备条件的初步确定第34-35页
    3.3 实验流程第35-36页
    3.4 实验结果第36-44页
        3.4.1 不同厚度铝层对Si诱导结晶生长的影响第36-38页
        3.4.2 退火对取向生长影响第38-39页
        3.4.3 SiO_2层厚度对(111) Si取向生长的影响第39-41页
        3.4.4 Al_2O_3层对Si (111)取向生长的影响第41-44页
    3.5 小结第44-46页
第四章 基于AIC硅层的外延生长第46-53页
    4.1 基本制备工艺第46-47页
    4.2 实验结果第47-52页
        4.2.1 500℃8h退火条件下样品表面微结构分析第47-50页
        4.2.2 退火的选择第50-52页
    4.3 小结第52-53页
第五章 论文工作总结第53-55页
参考文献第55-60页
附录第60-61页
致谢第61页

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