| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 引言 | 第11-13页 |
| 1.2 多晶硅薄膜概述 | 第13-14页 |
| 1.2.1 多晶硅薄膜性质 | 第13-14页 |
| 1.2.2 多晶硅薄膜制备方法 | 第14页 |
| 1.3 铝诱导多晶硅薄膜概述 | 第14-19页 |
| 1.3.1 铝诱导多晶硅薄膜的优势 | 第15-16页 |
| 1.3.2 铝诱导多晶硅薄膜研究进展 | 第16-18页 |
| 1.3.3 AIC应用于外延及太阳能电池的研究进展 | 第18-19页 |
| 1.4 论文选题意义及章节安排 | 第19-21页 |
| 第二章 薄膜制备与表征 | 第21-29页 |
| 2.1 实验仪器与原料 | 第21-22页 |
| 2.2 磁控溅射及反应原理介绍 | 第22-23页 |
| 2.3 PECVD简介 | 第23-24页 |
| 2.4 XRD衍射仪 | 第24-25页 |
| 2.5 扫描电子显微镜(SEM) | 第25-26页 |
| 2.6 拉曼散射 | 第26-27页 |
| 2.7 原子力显微(AFM) | 第27-29页 |
| 第三章 铝诱导Si (111)取向生长 | 第29-46页 |
| 3.1 材料的选择 | 第29-30页 |
| 3.1.1 铝的选择 | 第29-30页 |
| 3.1.2 硅材料的选择 | 第30页 |
| 3.2 薄膜制备 | 第30-35页 |
| 3.2.1 非晶硅薄膜的制备 | 第30-33页 |
| 3.2.2 非晶硅与铝薄膜制备条件的确定 | 第33-34页 |
| 3.2.3 二氧化硅制备条件的初步确定 | 第34-35页 |
| 3.3 实验流程 | 第35-36页 |
| 3.4 实验结果 | 第36-44页 |
| 3.4.1 不同厚度铝层对Si诱导结晶生长的影响 | 第36-38页 |
| 3.4.2 退火对取向生长影响 | 第38-39页 |
| 3.4.3 SiO_2层厚度对(111) Si取向生长的影响 | 第39-41页 |
| 3.4.4 Al_2O_3层对Si (111)取向生长的影响 | 第41-44页 |
| 3.5 小结 | 第44-46页 |
| 第四章 基于AIC硅层的外延生长 | 第46-53页 |
| 4.1 基本制备工艺 | 第46-47页 |
| 4.2 实验结果 | 第47-52页 |
| 4.2.1 500℃8h退火条件下样品表面微结构分析 | 第47-50页 |
| 4.2.2 退火的选择 | 第50-52页 |
| 4.3 小结 | 第52-53页 |
| 第五章 论文工作总结 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 附录 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
