Ni-Si纳米线的化学气相生长和导电性质的研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-27页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 一维纳米材料的研究 | 第9-14页 |
| 1.2.1 一维纳米材料的特性 | 第9-12页 |
| 1.2.2 一维纳米材料的合成机制 | 第12-13页 |
| 1.2.3 一维纳米材料的应用 | 第13-14页 |
| 1.3 一维硅镍纳米线的研究 | 第14-25页 |
| 1.3.1 硅晶体结构的点缺陷和合金化 | 第14-16页 |
| 1.3.2 硅镍纳米线的制备方法 | 第16-22页 |
| 1.3.3 硅镍纳米线的光电性质的研究 | 第22-25页 |
| 1.4 论文的研究内容和章节安排 | 第25-27页 |
| 第二章 硅镍纳米结构的晶体生长理论 | 第27-33页 |
| 2.1 引言 | 第27页 |
| 2.2 成核过程 | 第27-28页 |
| 2.3 晶体生长模型 | 第28-31页 |
| 2.3.1 层生长理论模型 | 第28-29页 |
| 2.3.2 螺旋位错模型 | 第29-30页 |
| 2.3.3 其他晶体生长模型简介 | 第30-31页 |
| 2.4 影响晶体生长的外部因素 | 第31-33页 |
| 第三章 样品的制备和表征测试仪器 | 第33-39页 |
| 3.0 引言 | 第33页 |
| 3.1 样品制备技术 | 第33-34页 |
| 3.1.1 磁控溅射技术 | 第33-34页 |
| 3.1.2 等离子增强化学气相沉积技术 | 第34页 |
| 3.2 样品的形貌结构表征仪器 | 第34-36页 |
| 3.2.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第34-35页 |
| 3.2.2 X射线衍射仪(XRD) | 第35-36页 |
| 3.3 纳米线的光电性质测试仪器 | 第36-39页 |
| 3.3.1 双电测四探针电阻率测试仪 | 第36-37页 |
| 3.3.2 紫外可见吸收(透射)光谱仪 | 第37-39页 |
| 第四章 硅镍纳米线的制备与表征 | 第39-53页 |
| 4.1 引言 | 第39页 |
| 4.2 磁控溅射制备镍膜 | 第39-42页 |
| 4.2.1 实验过程 | 第39页 |
| 4.2.2 实验结果与分析 | 第39-40页 |
| 4.2.3 镍膜的沉积生长 | 第40-42页 |
| 4.3 PECVD法制备硅镍纳米线 | 第42-45页 |
| 4.3.1 实验过程 | 第42-43页 |
| 4.3.2 实验结果与分析 | 第43页 |
| 4.3.3 硅镍纳米结构的物相和结构分析 | 第43-45页 |
| 4.4 硅镍纳米线的控制生长 | 第45-50页 |
| 4.4.1 生长温度对硅镍纳米结构形貌的影响 | 第46-47页 |
| 4.4.2 气体流量对硅镍纳米结构形貌的影响 | 第47-48页 |
| 4.4.3 生长气压对硅镍纳米结构形貌的影响 | 第48-50页 |
| 4.5 硅镍纳米结构的生长机理 | 第50-52页 |
| 4.5.1 镍膜的成核作用 | 第50-51页 |
| 4.5.2 硅镍纳米结构的生长机理 | 第51-52页 |
| 4.6 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 硅镍纳米结构的光电特性 | 第53-61页 |
| 5.1 引言 | 第53页 |
| 5.2 单根硅镍纳米线的导电性质 | 第53-56页 |
| 5.2.1 实验过程 | 第53-55页 |
| 5.2.2 实验结果及分析 | 第55-56页 |
| 5.3 硅镍纳米线阵列的减反射性质 | 第56-58页 |
| 5.3.1 阵列纳米线结构的陷光作用 | 第56页 |
| 5.3.2 实验过程 | 第56-57页 |
| 5.3.3 实验结果与分析 | 第57-58页 |
| 5.4 硅镍纳米线阵列的导电性质 | 第58-59页 |
| 5.4.1 实验过程 | 第58页 |
| 5.4.2 实验结果与分析 | 第58-59页 |
| 5.5 本章小结 | 第59-61页 |
| 第六章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 6.1 论文的主要工作 | 第61页 |
| 6.2 存在的问题与展望 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 读硕士期间发表的论文 | 第69页 |
