非晶硅薄膜的YAG激光退火技术研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 1 绪论 | 第9-18页 |
| ·本课题的研究背景和意义 | 第9-10页 |
| ·国内外研究历史与现状 | 第10-15页 |
| ·非晶硅半导体材料 | 第11-13页 |
| ·非晶硅材料的能带结构和电学性能 | 第13-14页 |
| ·非晶硅太阳电池的现状与研究方向 | 第14-15页 |
| ·本课题的研究内容 | 第15-17页 |
| ·激光退火技术 | 第15-17页 |
| ·课题的实验方法与内容 | 第17页 |
| ·论文的组织安排 | 第17-18页 |
| 2 非晶硅薄膜PECVD法的制备 | 第18-27页 |
| ·非晶硅薄膜的特点 | 第18页 |
| ·等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术 | 第18-19页 |
| ·等离子化学气相沉积过程的微观分析 | 第19-20页 |
| ·HQ-2型PECVD系统 | 第20-23页 |
| ·非晶硅薄膜沉积实验设计 | 第23-27页 |
| ·薄膜衬底的选择 | 第23页 |
| ·高掺杂多晶硅衬底的清洗 | 第23-24页 |
| ·非晶硅薄膜沉积实验流程与参数 | 第24-25页 |
| ·实验中应注意的事项 | 第25-27页 |
| 3 非晶硅薄膜的激光退火处理 | 第27-35页 |
| ·激光 | 第27-28页 |
| ·激光器 | 第28-29页 |
| ·分子气体激光器 | 第28页 |
| ·原子气体激光器 | 第28页 |
| ·红宝石激光器 | 第28-29页 |
| ·离子气体激光器 | 第29页 |
| ·Nd~(3+):YAG激光器 | 第29页 |
| ·激光退火 | 第29-32页 |
| ·激光退火相对普通热退火的优势 | 第29-30页 |
| ·激光退火的机理 | 第30-32页 |
| ·激光退火实验 | 第32-35页 |
| ·实验器材与准备条件 | 第32-34页 |
| ·非晶硅薄膜激光退火实验 | 第34-35页 |
| 4 激光退火工艺对非晶硅薄膜的影响 | 第35-50页 |
| ·激光退火对薄膜结构与表面形貌的表征与分析 | 第35页 |
| ·X射线衍射(XRD)测试分析 | 第35-42页 |
| ·原子力显微镜(AFM)测试分析 | 第42-47页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM)测试分析 | 第47-48页 |
| ·四探针测试仪电学性能分析 | 第48页 |
| ·测试分析总结 | 第48-50页 |
| 5 结论 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
