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高压IGBT模块电气模型研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6页
第1章 绪论第10-17页
    1.1 电力电子器件技术概述第10-12页
        1.1.1 功率半导体器件发展概述第10-11页
        1.1.2 IGBT器件发展概述第11-12页
    1.2 IGBT的结构和工作特性第12-13页
        1.2.1 IGBT物理结构第12-13页
        1.2.2 IGBT工作原理第13页
    1.3 国内外研究现状第13-15页
        1.3.1 IGBT模型研究现状第13-15页
        1.3.2 电力电子仿真技术现状第15页
    1.4 本文的主要内容和主要工作第15-17页
第2章 IGBT模块电气模型研究第17-38页
    2.1 IGBT器件暂态模型第17-21页
        2.1.1 MOSFET及BJT部分等效模型第19-20页
        2.1.2 关断拖尾电流部分等效模型第20页
        2.1.3 寄生电容部分等效模型第20-21页
    2.2 二极管暂态模型第21-23页
        2.2.1 二极管暂态模型原理第21-22页
        2.2.2 二极管反向恢复过程分析第22-23页
    2.3 模型参数提取及模型实现第23-26页
        2.3.1 IGBT暂态模型参数提取第23-24页
        2.3.2 二极管暂态模型参数提取第24-26页
    2.4 IGBT器件开关过程分析第26-27页
    2.5 模型应用及仿真验证第27-36页
        2.5.1 1700V IGBT模块电气模型测试第28-29页
        2.5.2 3300V IGBT模块电气模型测试第29-31页
        2.5.3 6500V IGBT模块电气模型测试第31-34页
        2.5.4 全桥H桥级联子模块模型第34-35页
        2.5.5 半桥MMC单相换流阀精确模型第35-36页
    2.6 本章小结第36-38页
第3章 IGBT器件平均损耗模型研究第38-46页
    3.1 IGBT器件典型损耗分析第38页
    3.2 器件平均损耗建模第38-41页
        3.2.1 开关损耗建模第40页
        3.2.2 通态损耗建模第40-41页
    3.3 模型应用及仿真验证第41-45页
        3.3.1 1700V IGBT平均损耗模型仿真验证第41-42页
        3.3.2 3300V IGBT平均损耗模型仿真验证第42-43页
        3.3.3 6500V IGBT平均损耗模型仿真验证第43-45页
    3.4 本章小结第45-46页
第4章 IGBT器件平均热阻模型研究第46-55页
    4.1 IGBT器件热响应分析第46-47页
    4.2 IGBT器件平均热阻模型建模第47-49页
    4.3 模型应用及仿真验证第49-54页
        4.3.1 1700V IGBT模块平均热阻模型验证第50-52页
        4.3.2 3300V IGBT模块平均热阻模型验证第52-53页
        4.3.3 6500V IGBT模块平均热阻模型验证第53-54页
    4.4 本章小结第54-55页
第5章 IGBT器件热电耦合模型研究第55-63页
    5.1 研究现状第55-56页
    5.2 IGBT热电耦合模型建模第56-58页
    5.3 模型应用及仿真验证第58-62页
        5.3.1 1700V IGBT模块热电耦合模型验证第59-60页
        5.3.2 3300V IGBT模块热电耦合模型验证第60-61页
        5.3.3 6500V IGBT模块热电耦合模型验证第61-62页
    5.4 本章小结第62-63页
第6章 结论与展望第63-65页
    6.1 本文的主要结论与创新点第63页
    6.2 后续研究工作展望第63-65页
参考文献第65-69页
攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果第69-70页
攻读硕士学位期间参加的科研工作第70-71页
致谢第71页

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