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SiC辐射探测器的读出电子学设计及其特性研究

摘要第4-5页
ABSTRACT第5页
第一章 绪论第8-18页
    1.1 选题背景及意义第8页
    1.2 空间环境及探测第8-12页
        1.2.1 空间环境种类第8-11页
        1.2.2 空间辐射探测手段第11-12页
    1.3 国内外研究进展第12-16页
    1.4 本论文选题依据和主要研究内容第16-18页
第二章 辐射与物质相互作用及读出系统简介第18-25页
    2.1 辐射分类第18-19页
        2.1.1 α衰变第18页
        2.1.2 β衰变第18-19页
        2.1.3 γ跃迁第19页
    2.2 辐射来源第19-20页
        2.3.1 天然辐射源第19-20页
        2.3.2 人工辐射源第20页
    2.3 辐射与物质作用原理第20-22页
        2.2.1 带电粒子与物质相互作用第20-21页
        2.2.3 光子与物质相互作用第21-22页
    2.4 SiC探测器粒子探测系统的组成第22-24页
        2.4.1 肖特基型SiC探测器第22-23页
        2.4.2 高压电源第23页
        2.4.3 探测器读出电子学系统第23-24页
    2.5 本章小结第24-25页
第三章 碳化硅探测器性能测试第25-33页
    3.1 金属半导体接触理论第25-26页
    3.2 肖特基型SiC探测器I-V测试第26-28页
        3.2.1 正向I-V特性第26-28页
        3.2.2 反向I-V特性第28页
    3.3 肖特基型SiC探测器C-V测试第28-30页
    3.4 肖特基型SiC探测器偏置电压选取第30-32页
        3.4.1 偏压特性第30页
        3.4.2 SiC探测器偏压测试第30-32页
    3.5 本章小结第32-33页
第四章 碳化硅探测器电子学读出设计第33-49页
    4.1 前端电子学第33-39页
        4.1.1 前置放大器第33-35页
        4.1.2 滤波成型电路第35-39页
    4.2 基于A225F的读出电子学设计第39-45页
        4.2.1 电荷灵敏前放A225F简介第39-40页
        4.2.2 基于A225F的读出电子学设计制作第40-42页
        4.2.3 系统测试第42-44页
        4.2.4 基于A225F的粒子报警电路第44-45页
    4.3 基于A250的读出电子学设计第45-48页
        4.3.1 电荷灵敏前放A250简介第45-47页
        4.3.2 基于A250的读出电子学设计第47-48页
        4.3.3 物理测试第48页
    4.4 本章小结第48-49页
第五章 碳化硅探测器抗辐照测试及性能分析第49-54页
    5.1 SiC探测器γ辐照实验第49页
    5.2 实验结果与分析第49-53页
        5.2.1 I-V测试第50-51页
        5.2.2 α粒子能谱响应第51-53页
    5.3 本章小结第53-54页
结论第54-55页
致谢第55-56页
参考文献第56-59页
硕士期间论文发表情况第59页

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