SiC辐射探测器的读出电子学设计及其特性研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 选题背景及意义 | 第8页 |
| 1.2 空间环境及探测 | 第8-12页 |
| 1.2.1 空间环境种类 | 第8-11页 |
| 1.2.2 空间辐射探测手段 | 第11-12页 |
| 1.3 国内外研究进展 | 第12-16页 |
| 1.4 本论文选题依据和主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 辐射与物质相互作用及读出系统简介 | 第18-25页 |
| 2.1 辐射分类 | 第18-19页 |
| 2.1.1 α衰变 | 第18页 |
| 2.1.2 β衰变 | 第18-19页 |
| 2.1.3 γ跃迁 | 第19页 |
| 2.2 辐射来源 | 第19-20页 |
| 2.3.1 天然辐射源 | 第19-20页 |
| 2.3.2 人工辐射源 | 第20页 |
| 2.3 辐射与物质作用原理 | 第20-22页 |
| 2.2.1 带电粒子与物质相互作用 | 第20-21页 |
| 2.2.3 光子与物质相互作用 | 第21-22页 |
| 2.4 SiC探测器粒子探测系统的组成 | 第22-24页 |
| 2.4.1 肖特基型SiC探测器 | 第22-23页 |
| 2.4.2 高压电源 | 第23页 |
| 2.4.3 探测器读出电子学系统 | 第23-24页 |
| 2.5 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 碳化硅探测器性能测试 | 第25-33页 |
| 3.1 金属半导体接触理论 | 第25-26页 |
| 3.2 肖特基型SiC探测器I-V测试 | 第26-28页 |
| 3.2.1 正向I-V特性 | 第26-28页 |
| 3.2.2 反向I-V特性 | 第28页 |
| 3.3 肖特基型SiC探测器C-V测试 | 第28-30页 |
| 3.4 肖特基型SiC探测器偏置电压选取 | 第30-32页 |
| 3.4.1 偏压特性 | 第30页 |
| 3.4.2 SiC探测器偏压测试 | 第30-32页 |
| 3.5 本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 碳化硅探测器电子学读出设计 | 第33-49页 |
| 4.1 前端电子学 | 第33-39页 |
| 4.1.1 前置放大器 | 第33-35页 |
| 4.1.2 滤波成型电路 | 第35-39页 |
| 4.2 基于A225F的读出电子学设计 | 第39-45页 |
| 4.2.1 电荷灵敏前放A225F简介 | 第39-40页 |
| 4.2.2 基于A225F的读出电子学设计制作 | 第40-42页 |
| 4.2.3 系统测试 | 第42-44页 |
| 4.2.4 基于A225F的粒子报警电路 | 第44-45页 |
| 4.3 基于A250的读出电子学设计 | 第45-48页 |
| 4.3.1 电荷灵敏前放A250简介 | 第45-47页 |
| 4.3.2 基于A250的读出电子学设计 | 第47-48页 |
| 4.3.3 物理测试 | 第48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 碳化硅探测器抗辐照测试及性能分析 | 第49-54页 |
| 5.1 SiC探测器γ辐照实验 | 第49页 |
| 5.2 实验结果与分析 | 第49-53页 |
| 5.2.1 I-V测试 | 第50-51页 |
| 5.2.2 α粒子能谱响应 | 第51-53页 |
| 5.3 本章小结 | 第53-54页 |
| 结论 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 硕士期间论文发表情况 | 第59页 |
