| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第8-9页 |
| 1.2 二维半导体材料与InSe | 第9-13页 |
| 1.2.1 二维半导体材料及其研究现状 | 第9-12页 |
| 1.2.2 InSe的性质与研究现状 | 第12-13页 |
| 1.3 二维材料异质结 | 第13-16页 |
| 1.4 论文主要内容与章节安排 | 第16-17页 |
| 第二章 样品制备与表征 | 第17-28页 |
| 2.1 实验样品制备 | 第17-21页 |
| 2.1.1 二维材料主要制备工艺 | 第17-20页 |
| 2.1.2 二维材料异质结制备工艺 | 第20-21页 |
| 2.2 实验样品表征手段 | 第21-26页 |
| 2.2.1 光学显微镜 | 第22页 |
| 2.2.2 原子力显微镜 | 第22-24页 |
| 2.2.3 拉曼光谱 | 第24-25页 |
| 2.2.4 光致发光光谱 | 第25-26页 |
| 2.2.5 X射线光电子能谱 | 第26页 |
| 2.3 本章小结 | 第26-28页 |
| 第三章 温和氧等离子体处理对InSe的影响 | 第28-39页 |
| 3.1 等离子体技术 | 第28-31页 |
| 3.1.1 等离子体原理 | 第28-29页 |
| 3.1.2 非平行板式电容耦合等离子体 | 第29-31页 |
| 3.1.3 温和等离子体系统的先进性 | 第31页 |
| 3.2 温和氧气等离子体增强InSe稳定性 | 第31-35页 |
| 3.2.1 氧气等离子体处理流程 | 第32页 |
| 3.2.2 InSe稳定性的增强 | 第32-35页 |
| 3.3 InSe光学性能调控 | 第35-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-39页 |
| 第四章 InSe/石墨烯异质结的制备与研究 | 第39-50页 |
| 4.1 InSe/石墨烯异质结的制备及性能表征 | 第39-42页 |
| 4.2 高真空低温退火对异质结光学性能影响 | 第42-46页 |
| 4.2.1 异质结光学特性随退火时间的变化 | 第43-44页 |
| 4.2.2 不同层数的InSe异质结对退火时间的响应 | 第44-45页 |
| 4.2.3 退火增强电子转移作用机理 | 第45-46页 |
| 4.3 InSe/石墨烯异质结电学性能测试 | 第46-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 第五章 总结与展望 | 第50-52页 |
| 5.1 总结 | 第50页 |
| 5.2 展望 | 第50-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 附录:作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第57页 |