中文摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第12-47页 |
1.1 石墨烯的基本性质与制备方法 | 第12-14页 |
1.1.1 石墨烯的基本性质 | 第12-13页 |
1.1.2 石墨烯的制备方法 | 第13-14页 |
1.2 拓扑绝缘体的基本性质与制备方法 | 第14-18页 |
1.2.1 拓扑绝缘体的基本性质 | 第14-16页 |
1.2.2 拓扑绝缘体的制备方法 | 第16-18页 |
1.3 二维材料/硅异质结光电器件的研究进展 | 第18-32页 |
1.3.1 石墨烯/硅异质结光电器件的研究进展 | 第19-30页 |
1.3.2 MoS_2/Si异质结的研究进展 | 第30-32页 |
1.3.3 拓扑绝缘体/硅异质结的研究进展 | 第32页 |
1.4 本文研究的动机和内容 | 第32-33页 |
本章参考文献 | 第33-47页 |
第二章 硅纳米柱阵列的制备及其性能研究 | 第47-57页 |
2.1 引言 | 第47-48页 |
2.2 实验 | 第48-50页 |
2.2.1 药品与实验设备 | 第48页 |
2.2.2 聚苯乙烯(PS)小球二维排列 | 第48-49页 |
2.2.3 硅纳米柱阵列结构的制备与表征 | 第49-50页 |
2.3 实验结果与讨论 | 第50-53页 |
2.3.1 不同RIE刻蚀条件下的硅纳米柱阵列形貌 | 第50-52页 |
2.3.2 硅柱高度对硅纳米柱阵列入射光吸收的影响 | 第52-53页 |
2.4 本章结论 | 第53页 |
本章参考文献 | 第53-57页 |
第三章 Graphene/SiNPs异质结太阳能电池的构筑和性能研究 | 第57-67页 |
3.1 引言 | 第57-58页 |
3.2 实验 | 第58-60页 |
3.2.1 药品和实验设备 | 第58-59页 |
3.2.2 Graphene的合成与转移 | 第59页 |
3.2.3 Graphene/SiNPs异质结太阳能电池的制备 | 第59-60页 |
3.2.4 Graphene/PEDOT: PSS/SiNPs异质结太阳能电池的制备 | 第60页 |
3.3 结果与讨论 | 第60-64页 |
3.3.1 SiNPs高度对太阳能电池性能的影响 | 第60-62页 |
3.3.2 电子阻隔层PEDOT-PSS对太阳能电池性能的影响 | 第62-64页 |
3.4 本章结论 | 第64页 |
本章参考文献 | 第64-67页 |
第四章 拓扑绝缘体Bi_2Se_3/SiNPs异质结光电探测器的构筑和性能研究 | 第67-89页 |
4.1 引言 | 第67-68页 |
4.2 实验 | 第68-71页 |
4.2.1 药品和实验设备 | 第68-69页 |
4.2.2 Bi_2Se_3薄膜的制备与表征 | 第69-70页 |
4.2.3 Bi_2Se_3/SiNPs异质结的制备与测试 | 第70-71页 |
4.3 结果与讨论 | 第71-83页 |
4.3.1 Bi_2Se_3薄膜的表征 | 第71-72页 |
4.3.2 Bi_2Se_3/SiNPs异质结的结构表征 | 第72-73页 |
4.3.3 Bi_2Se_3/SiNPs异质结光伏特性分析 | 第73-74页 |
4.3.4 Bi_2Se_3/SiNPs异质结光电探测特性分析 | 第74-83页 |
4.4 本章结论 | 第83页 |
本章参考文献 | 第83-89页 |
第五章 拓扑晶体绝缘体SnTe /SiNPs异质结光电探测器的构筑和性能研究 | 第89-113页 |
5.1 引言 | 第89-90页 |
5.2 实验 | 第90-93页 |
5.2.1 药品和实验设备 | 第90-91页 |
5.2.2 SnTe薄膜的制备与表征 | 第91-92页 |
5.2.3 SnTe/SiNPs异质结的制备与测试 | 第92-93页 |
5.3 结果与讨论 | 第93-106页 |
5.3.1 SnTe薄膜的表征 | 第93-95页 |
5.3.2 SnTe/SiNPs异质结的结构表征 | 第95-96页 |
5.3.3 SnTe/SiNPs异质结的光伏特性分析 | 第96-98页 |
5.3.4 SnTe/SiNPs异质结的光电探测特性分析 | 第98-106页 |
5.4 本章结论 | 第106-107页 |
本章参考文献 | 第107-113页 |
第六章 全文总结与展望 | 第113-116页 |
攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文 | 第116-117页 |
致谢 | 第117页 |