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二维材料/硅纳米柱阵列异质结光电器件研究

中文摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第12-47页
    1.1 石墨烯的基本性质与制备方法第12-14页
        1.1.1 石墨烯的基本性质第12-13页
        1.1.2 石墨烯的制备方法第13-14页
    1.2 拓扑绝缘体的基本性质与制备方法第14-18页
        1.2.1 拓扑绝缘体的基本性质第14-16页
        1.2.2 拓扑绝缘体的制备方法第16-18页
    1.3 二维材料/硅异质结光电器件的研究进展第18-32页
        1.3.1 石墨烯/硅异质结光电器件的研究进展第19-30页
        1.3.2 MoS_2/Si异质结的研究进展第30-32页
        1.3.3 拓扑绝缘体/硅异质结的研究进展第32页
    1.4 本文研究的动机和内容第32-33页
    本章参考文献第33-47页
第二章 硅纳米柱阵列的制备及其性能研究第47-57页
    2.1 引言第47-48页
    2.2 实验第48-50页
        2.2.1 药品与实验设备第48页
        2.2.2 聚苯乙烯(PS)小球二维排列第48-49页
        2.2.3 硅纳米柱阵列结构的制备与表征第49-50页
    2.3 实验结果与讨论第50-53页
        2.3.1 不同RIE刻蚀条件下的硅纳米柱阵列形貌第50-52页
        2.3.2 硅柱高度对硅纳米柱阵列入射光吸收的影响第52-53页
    2.4 本章结论第53页
    本章参考文献第53-57页
第三章 Graphene/SiNPs异质结太阳能电池的构筑和性能研究第57-67页
    3.1 引言第57-58页
    3.2 实验第58-60页
        3.2.1 药品和实验设备第58-59页
        3.2.2 Graphene的合成与转移第59页
        3.2.3 Graphene/SiNPs异质结太阳能电池的制备第59-60页
        3.2.4 Graphene/PEDOT: PSS/SiNPs异质结太阳能电池的制备第60页
    3.3 结果与讨论第60-64页
        3.3.1 SiNPs高度对太阳能电池性能的影响第60-62页
        3.3.2 电子阻隔层PEDOT-PSS对太阳能电池性能的影响第62-64页
    3.4 本章结论第64页
    本章参考文献第64-67页
第四章 拓扑绝缘体Bi_2Se_3/SiNPs异质结光电探测器的构筑和性能研究第67-89页
    4.1 引言第67-68页
    4.2 实验第68-71页
        4.2.1 药品和实验设备第68-69页
        4.2.2 Bi_2Se_3薄膜的制备与表征第69-70页
        4.2.3 Bi_2Se_3/SiNPs异质结的制备与测试第70-71页
    4.3 结果与讨论第71-83页
        4.3.1 Bi_2Se_3薄膜的表征第71-72页
        4.3.2 Bi_2Se_3/SiNPs异质结的结构表征第72-73页
        4.3.3 Bi_2Se_3/SiNPs异质结光伏特性分析第73-74页
        4.3.4 Bi_2Se_3/SiNPs异质结光电探测特性分析第74-83页
    4.4 本章结论第83页
    本章参考文献第83-89页
第五章 拓扑晶体绝缘体SnTe /SiNPs异质结光电探测器的构筑和性能研究第89-113页
    5.1 引言第89-90页
    5.2 实验第90-93页
        5.2.1 药品和实验设备第90-91页
        5.2.2 SnTe薄膜的制备与表征第91-92页
        5.2.3 SnTe/SiNPs异质结的制备与测试第92-93页
    5.3 结果与讨论第93-106页
        5.3.1 SnTe薄膜的表征第93-95页
        5.3.2 SnTe/SiNPs异质结的结构表征第95-96页
        5.3.3 SnTe/SiNPs异质结的光伏特性分析第96-98页
        5.3.4 SnTe/SiNPs异质结的光电探测特性分析第98-106页
    5.4 本章结论第106-107页
    本章参考文献第107-113页
第六章 全文总结与展望第113-116页
攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文第116-117页
致谢第117页

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