| 摘要 | 第5-8页 |
| abstract | 第8-10页 |
| 第1章 绪论 | 第17-43页 |
| 1.1 前言 | 第17页 |
| 1.2 传统二次电池的发展历程 | 第17-24页 |
| 1.2.1 铅酸二次电池的反应原理 | 第17-19页 |
| 1.2.2 铅酸二次电池的优缺点 | 第19-20页 |
| 1.2.3 锂离子二次电池发展历程 | 第20页 |
| 1.2.4 锂离子二次电池正极材料 | 第20-24页 |
| 1.2.5 锂离子二次电池的优缺点 | 第24页 |
| 1.3 水系二次电池简介 | 第24-31页 |
| 1.3.1 水系锂离子电池正极材料 | 第25-28页 |
| 1.3.2 水系锂离子电池负极材料 | 第28-29页 |
| 1.3.3 水系钠离子电池正极材料 | 第29-31页 |
| 1.3.4 水系钠离子电池负极材料 | 第31页 |
| 1.4 水系镁离子电池 | 第31-40页 |
| 1.4.1 镁离子电池发展历程 | 第31-33页 |
| 1.4.2 水系镁离子电池简介 | 第33页 |
| 1.4.3 水系镁离子电池正极材料 | 第33-38页 |
| 1.4.4 水系镁离子电池负极材料 | 第38-40页 |
| 1.5 本论文选题目的、意义及主要研究内容 | 第40-43页 |
| 1.5.1 研究的目的和意义 | 第40-41页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第41-43页 |
| 第2章 实验部分 | 第43-49页 |
| 2.1 实验试剂和实验仪器 | 第43-45页 |
| 2.1.1 实验试剂 | 第43-44页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第44-45页 |
| 2.2 材料表征方法 | 第45-46页 |
| 2.2.1 X射线衍射仪(XRD) | 第45页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第45页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜(TEM) | 第45页 |
| 2.2.4 电感耦合等离子体质谱分析(ICP-MS) | 第45页 |
| 2.2.5 X射线光电子能谱学(XPS) | 第45-46页 |
| 2.2.6 热重分析(TG) | 第46页 |
| 2.2.7 红外分析(IR) | 第46页 |
| 2.2.8 比表面积分析(BET) | 第46页 |
| 2.3 电化学测试方法 | 第46-47页 |
| 2.3.1 循环伏安法(CV) | 第46页 |
| 2.3.2 恒流充放电测试(CP) | 第46-47页 |
| 2.3.3 交流阻抗测试(EIS) | 第47页 |
| 2.4 电极的制备和测试 | 第47-48页 |
| 2.4.1 电极的制备 | 第47页 |
| 2.4.2 测试体系 | 第47-48页 |
| 2.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 第3章 1×1孔道结构镁锰氧化物作为水系镁离子电池正极材料的研究 | 第49-59页 |
| 3.1 引言 | 第49页 |
| 3.2 实验部分 | 第49-52页 |
| 3.2.1 Mg-OMS-7材料的制备 | 第49页 |
| 3.2.2 Mg-OMS-7材料的表征 | 第49-52页 |
| 3.3 Mg-OMS-7正极材料的电化学性能的研究 | 第52-55页 |
| 3.3.1 循环伏安测试 | 第52-53页 |
| 3.3.2 恒流充放电测试 | 第53-54页 |
| 3.3.3 循环稳定性测试 | 第54-55页 |
| 3.4 Mg-OMS-7正极材料中Mg~(2+)的脱嵌机理研究 | 第55-57页 |
| 3.4.1 XRD测试 | 第55-56页 |
| 3.4.2 XPS测试 | 第56-57页 |
| 3.5 本章小结 | 第57-59页 |
| 第4章 2×2孔道结构镁锰氧化物作为水系镁离子电池正极材料的研究 | 第59-75页 |
| 4.1 引言 | 第59页 |
| 4.2 实验部分 | 第59-63页 |
| 4.2.1 Mg-OMS-2和Mg-OMS-2/Graphene材料的制备 | 第59-60页 |
| 4.2.2 Mg-OMS-2和Mg-OMS-2/Graphene材料的表征 | 第60-63页 |
| 4.3 Mg-OMS-2和Mg-OMS-2/Graphene正极材料的电化学性能研究 | 第63-69页 |
| 4.3.1 循环伏安测试 | 第64-65页 |
| 4.3.2 恒流充放电测试 | 第65-66页 |
| 4.3.3 循环稳定性测试 | 第66-67页 |
| 4.3.4 Mg-OMS-2/Graphene//AC电容电池的储镁性能的研究 | 第67-69页 |
| 4.4 Mg-OMS-2/Graphene正极材料中Mg~(2+)的脱嵌机理研究 | 第69-72页 |
| 4.4.1 XRD测试 | 第69-71页 |
| 4.4.2 XPS测试 | 第71-72页 |
| 4.5 本章小结 | 第72-75页 |
| 第5章 3×3孔道结构镁锰氧化物作为水系镁离子电池正极材料的研究 | 第75-101页 |
| 5.1 引言 | 第75页 |
| 5.2 纳米带状Mg-OMS-1作为水系镁离子电池正极材料的研究 | 第75-77页 |
| 5.2.1 纳米带状Mg-OMS-1材料的制备 | 第75-76页 |
| 5.2.2 纳米带状Mg-OMS-1材料的表征 | 第76-77页 |
| 5.3 纳米带状Mg-OMS-1正极材料的电化学性能 | 第77-84页 |
| 5.3.1 循环伏安测试 | 第77-78页 |
| 5.3.2 恒流充放电测试 | 第78-80页 |
| 5.3.3 倍率性能和循环稳定性的测试 | 第80-81页 |
| 5.3.4 交流阻抗的测试 | 第81-82页 |
| 5.3.5 Mg(NO_3)_2电解液浓度对Mg-OMS-1纳米带电化学性能影响 | 第82-84页 |
| 5.4 纳米片状Mg-OMS-1作为水系镁离子电池正极材料的研究 | 第84-87页 |
| 5.4.1 纳米带片Mg-OMS-1材料的制备 | 第84-85页 |
| 5.4.2 纳米片状Mg-OMS-1材料的表征 | 第85-87页 |
| 5.5 纳米片状Mg-OMS-1正极材料的电化学性能 | 第87-93页 |
| 5.5.1 循环伏安测试 | 第87-88页 |
| 5.5.2 恒流充放电测试 | 第88-89页 |
| 5.5.3 倍率和循环稳定性的测试 | 第89-90页 |
| 5.5.4 交流阻抗的测试 | 第90-91页 |
| 5.5.5 MgCl_2电解液浓度对Mg-OMS-1纳米片电化学性能影响 | 第91-93页 |
| 5.6 Mg-OMS-1正极材料中Mg~(2+)的脱嵌机理研究 | 第93-99页 |
| 5.6.1 XRD测试 | 第94-95页 |
| 5.6.2 EPR测试 | 第95-96页 |
| 5.6.3 XPS测试 | 第96-99页 |
| 5.7 本章小结 | 第99-101页 |
| 第6章 铁钒氧化物作为水系镁离子电池负极材料的研究 | 第101-124页 |
| 6.1 引言 | 第101页 |
| 6.2 FeVO_4·0.9H_2O和FeVO_4·0.9H_2O/Graphene作为水系镁离子电池负极材料的研究 | 第101-105页 |
| 6.2.1 FeVO_4·0.9H_2O和FeVO_4·0.9H_2O/Graphene材料的制备 | 第101-102页 |
| 6.2.2 FeVO_4·0.9H_2O和FeVO_4·0.9H_2O/Graphene材料的表征 | 第102-105页 |
| 6.3 FeVO_4·0.9H_2O和FeVO_4·0.9H_2O/Graphene作为负极材料的电化学性能的研究 | 第105-107页 |
| 6.3.1 恒流充放电和循环稳定性测试 | 第105-106页 |
| 6.3.2 交流阻抗的测试 | 第106-107页 |
| 6.4 FeVO_4·0.9H_2O/Graphene负极材料Mg~(2+)的脱嵌机理研究 | 第107-108页 |
| 6.4.1 XRD测试 | 第107-108页 |
| 6.5 FeVO_4和FeVO_4/C作为水系镁离子电池负极材料的研究 | 第108-113页 |
| 6.5.1 FeVO_4和FeVO_4/C材料的制备 | 第108-109页 |
| 6.5.2 FeVO_4和FeVO_4/C材料的表征 | 第109-113页 |
| 6.6 FeVO_4和FeVO_4/C作为水系镁离子电池负极材料的电化学性能的研究 | 第113-119页 |
| 6.6.1 循环伏安测试 | 第113-114页 |
| 6.6.2 恒流充放电和循环性能测试 | 第114-115页 |
| 6.6.3 交流阻抗的测试 | 第115-116页 |
| 6.6.4 Mg-OMS-1//FeVO_4/C水系镁离子全电池性能的研究 | 第116-119页 |
| 6.7 FeVO_4/C负极材料的Mg~(2+)的脱嵌机理研究 | 第119-122页 |
| 6.7.1 XRD测试 | 第119-120页 |
| 6.7.2 XPS测试 | 第120-122页 |
| 6.8 本章小结 | 第122-124页 |
| 结论 | 第124-127页 |
| 论文的创新点 | 第127-128页 |
| 参考文献 | 第128-146页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第146-148页 |
| 致谢 | 第148页 |
