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应用于移动终端的CMOS包络跟踪射频功率放大器的研究

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第1章 绪论第10-16页
    1.1 课题背景第10-11页
    1.2 研究意义和前景第11-12页
    1.3 国内外研究现状第12-15页
    1.4 论文的组织结构第15-16页
第2章 CMOS功率放大器研究第16-38页
    2.1 引言第16-17页
    2.2 CMOS功率放大器设计策略第17-24页
        2.2.1 提高耐压第17-20页
        2.2.2 降低AM-AM失真第20-22页
        2.2.3 降低AM-PM失真第22-24页
    2.3 基于SOI CMOS 0.18μm工艺的功率放大器设计第24-37页
        2.3.1 CMOS功率放大器性能指标第25页
        2.3.2 CMOS功率放大器接地第25-29页
        2.3.3 CMOS功率放大器总体设计第29-31页
        2.3.4 CMOS功率放大器仿真第31-37页
    2.4 本章小结第37-38页
第3章 包络跟踪电源调制器的研究第38-54页
    3.1 包络跟踪技术简介第38-41页
    3.2 包络跟踪电源调制器简介第41-43页
    3.3 包络跟踪电源调制器的设计原理第43-47页
        3.3.1 包络跟踪电源调制器工作模式第44-46页
        3.3.2 线性级关键性能指标第46-47页
        3.3.3 开关级关键性能指标第47页
    3.4 包络跟踪电源调制器电路仿真第47-52页
    3.5 本章小结第52-54页
第4章 实验测试与分析第54-62页
    4.1 实验平台搭建与设计第54-55页
        4.1.1 实验平台开发的软硬件环境第54-55页
        4.1.2 实验平台设计第55页
    4.2 CMOS功率放大器测试第55-57页
    4.3 CMOS包络跟踪电源调制器测试第57-59页
    4.4 包络跟踪功率放大器整体测试第59-61页
    4.5 本章小结第61-62页
第5章 结论与展望第62-64页
    5.1 全文总结第62-63页
    5.2 未来工作与展望第63-64页
参考文献第64-68页
致谢第68-70页
科研项目及论文专利发表情况第70页

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