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电子束熔炼提纯冶金级硅工艺研究

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
1 绪论第9-26页
   ·立题背景第9-11页
   ·冶金法第11-18页
     ·冶金法发展历程第11-13页
     ·冶金法制备高纯多晶硅工艺方法第13-18页
   ·电子束熔炼第18-24页
     ·电子束熔炼原理及电子束熔炼炉结构第20-22页
     ·电子束熔炼在材料提纯领域的应用第22-23页
     ·电子束熔炼在硅材料提纯领域的应用第23-24页
   ·本文研究的主要目的及内容第24-26页
2 硅中杂质及电子束熔炼除杂原理第26-36页
   ·概述第26页
   ·太阳能级硅杂质容许含量第26-29页
   ·电子束熔炼除杂原理第29-35页
     ·电子束熔炼过程动力学第29-31页
     ·杂质元素挥发系数第31-35页
   ·本章小结第35-36页
3 多晶硅铸锭中杂质分布规律及其挥发去除热力学和动力学分析第36-47页
   ·概述第36页
   ·实验设备与实验方法第36-38页
   ·结果与讨论第38-46页
     ·铸锭金相组织第38-39页
     ·铸锭中杂质分布规律第39-42页
     ·杂质挥发去除的理论分析第42-46页
   ·本章小结第46-47页
4 电子束熔炼除磷研究第47-56页
   ·概述第47页
   ·实验材料及实验方法第47-48页
   ·结果与讨论第48-55页
     ·质量损失第48-50页
     ·电子束熔炼过程中杂质磷挥发去除行为第50-52页
     ·电子束功率密度对除磷速率、硅挥发损失的影响第52-54页
     ·除磷反应速率控制步骤第54-55页
   ·本章小结第55-56页
5 电子束熔炼去除硅中其它挥发性杂质元素第56-62页
   ·概述第56页
   ·实验材料及实验方法第56-57页
   ·结果与讨论第57-61页
     ·钙、铝含量变化第57-58页
     ·钙、铝挥发去除机理第58-59页
     ·钙、铝去除反应速率控制步骤第59-61页
   ·本章小结第61-62页
结论第62-63页
参考文献第63-68页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况第68-69页
致谢第69-71页

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