熔融态冶金级硅中杂质的挥发去除行为研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 引言 | 第9-11页 |
| 1 绪论 | 第11-29页 |
| ·立题背景 | 第11-12页 |
| ·多晶硅材料的制备工艺 | 第12-24页 |
| ·多晶硅材料传统制备工艺 | 第13-16页 |
| ·多晶硅材料新制备工艺 | 第16-24页 |
| ·真空熔炼 | 第24-28页 |
| ·冶金硅中的挥发性元素 | 第24-26页 |
| ·真空熔炼的应用及有待解决的问题 | 第26-28页 |
| ·本论文研究的主要目的及内容 | 第28-29页 |
| 2 真空熔炼实验 | 第29-47页 |
| ·真空熔炼实验原理 | 第29-32页 |
| ·真空熔炼热力学 | 第29-30页 |
| ·真空熔炼动力学 | 第30-32页 |
| ·实验设备与实验方法 | 第32-37页 |
| ·实验设备 | 第32-34页 |
| ·实验方法 | 第34-37页 |
| ·实验结果与讨论 | 第37-46页 |
| ·硅中杂质含量的变化 | 第37-40页 |
| ·硅中杂质的去除速率 | 第40-44页 |
| ·硅的挥发 | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 3 低压熔炼实验 | 第47-54页 |
| ·引言 | 第47页 |
| ·实验方法 | 第47-48页 |
| ·实验结果与讨论 | 第48-52页 |
| ·硅中杂质含量的变化 | 第48-50页 |
| ·硅中P的去除速率及与真空熔炼条件下的比较 | 第50-51页 |
| ·不同压力环境下杂质去除速率的控制步骤 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 4 电子束熔炼实验 | 第54-63页 |
| ·引言 | 第54页 |
| ·电子束技术 | 第54-56页 |
| ·电子束技术在工业领域的应用 | 第54-55页 |
| ·电子束熔炼 | 第55-56页 |
| ·实验设备与实验方法 | 第56-58页 |
| ·实验设备 | 第56-57页 |
| ·实验方法 | 第57-58页 |
| ·实验结果与讨论 | 第58-61页 |
| ·熔炼温度估算 | 第58-59页 |
| ·硅中P含量的变化 | 第59-60页 |
| ·硅中P的去除速率 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 结论 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
