| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 专用术语注释表 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 新型碳基材料 | 第10-16页 |
| 1.2.1 石墨烯以及石墨烯纳米条带 | 第11-14页 |
| 1.2.2 碳纳米管 | 第14-16页 |
| 1.3 碳基场效应管的研究现状 | 第16-19页 |
| 1.4 论文的主要工作和创新 | 第19-20页 |
| 1.5 本论文结构 | 第20-21页 |
| 第二章 量子输运理论 | 第21-27页 |
| 2.1 非平衡格林函数 | 第21-23页 |
| 2.2 Dyson方程 | 第23-24页 |
| 2.3 Landauer - Büttiker输运理论 | 第24-27页 |
| 第三章 异质结构碳基场效应管的电学特性 | 第27-48页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 异质栅结构n - i - n型场效应晶体管的电学特性 | 第27-39页 |
| 3.2.1 异质栅结构CNTFETs的电学特性 | 第28-35页 |
| 3.2.2 异质栅结构GNRFETs的电学特性 | 第35-39页 |
| 3.3 异质氧化层结构p - i - n型场效应管的电学特性 | 第39-47页 |
| 3.3.1 TFET工作原理 | 第40页 |
| 3.3.2 异质氧化层结构p - i - n GNRFETs的电学特性 | 第40-45页 |
| 3.3.3 氧化层介电常数对TFETs电学特性的影响 | 第45-46页 |
| 3.3.4 栅长对TFETs电学特性的影响 | 第46页 |
| 3.3.5 温度对TFETs电学特性的影响 | 第46-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 异质结构碳基场效应管构建电路的性能 | 第48-68页 |
| 4.1 异质栅n - i - n型场效应管构建电路的性能 | 第48-61页 |
| 4.1.1 CNTFETs的SPICE查找表模型 | 第48-50页 |
| 4.1.2 异质栅功函数对反相器性能的影响 | 第50-53页 |
| 4.1.3 异质栅功函数对SRAM性能的影响 | 第53-56页 |
| 4.1.4 GNRFETs的SPICE查找表模型 | 第56页 |
| 4.1.5 异质栅功函数对逻辑电路性能的影响 | 第56-61页 |
| 4.2 异质氧化层p - i - n型场效应晶体管构建逻辑电路的性能 | 第61-66页 |
| 4.2.1 TFETs构建的反相器的瞬态分析 | 第61-63页 |
| 4.2.2 栅长对TFETs构建的反相器性能的影响 | 第63-64页 |
| 4.2.3 VDD对TFETs构建的反相器性能的影响 | 第64-65页 |
| 4.2.4 温度对TFETs构建的反相器性能的影响 | 第65-66页 |
| 4.3 本章小结 | 第66-68页 |
| 第五章 场效应管栅极隧穿电流对逻辑电路功能的影响 | 第68-76页 |
| 5.1 引言 | 第68页 |
| 5.2 栅电流模型 | 第68-71页 |
| 5.2.1 栅极隧穿电流 | 第68-69页 |
| 5.2.2 直接隧穿仿真模型 | 第69-71页 |
| 5.3 栅电流模型在电路中的应用 | 第71-75页 |
| 5.4 本章小结 | 第75-76页 |
| 第六章 总结与展望 | 第76-78页 |
| 6.1 总结 | 第76-77页 |
| 6.2 进一步工作方向 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-82页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第82-83页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第83-84页 |
| 致谢 | 第84页 |
