| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 金属氧化物半导体气体传感器 | 第10-14页 |
| 1.1.1 敏感材料 | 第11-12页 |
| 1.1.2 金属氧化物气体传感器的结构 | 第12-14页 |
| 1.2 气体传感器的性能参数 | 第14-15页 |
| 1.2.1 灵敏度 | 第14页 |
| 1.2.2 响应时间和恢复时间 | 第14页 |
| 1.2.3 检测极限 | 第14页 |
| 1.2.4 选择性 | 第14-15页 |
| 1.2.5 稳定性 | 第15页 |
| 1.3 金属氧化物半导体气体传感器的敏感机制 | 第15-17页 |
| 1.3.1 表面电阻控制型 | 第15-16页 |
| 1.3.2 体电阻控制型 | 第16-17页 |
| 1.3.3 非电阻控制性 | 第17页 |
| 1.4 纳米ZnO气体传感器的研究进展 | 第17-18页 |
| 1.5 本论文的构思和研究内容 | 第18-20页 |
| 第一章 参考文献 | 第20-22页 |
| 2 不同形貌ZnO微/纳米结构的制备及表征 | 第22-39页 |
| 2.1 引言 | 第22页 |
| 2.2 实验试剂及仪器设备 | 第22-24页 |
| 2.3 ZnO纳米棒花状分级结构的制备及表征 | 第24-28页 |
| 2.3.1 Zn O纳米棒花状结构的制备 | 第24页 |
| 2.3.2 Zn O纳米棒花状结构的表征及结果分析 | 第24-27页 |
| 2.3.3 生长机理 | 第27-28页 |
| 2.4 ZnO微/纳米球的制备及表征 | 第28-31页 |
| 2.4.1 Zn O微/纳米球的制备 | 第28页 |
| 2.4.2 Zn O微/纳米球的表征及结果分析 | 第28-31页 |
| 2.4.3 Zn O微/纳米球的生长机理 | 第31页 |
| 2.5 ZnO纳米棒阵列的制备及表征 | 第31-36页 |
| 2.5.1 Zn O纳米棒阵列的制备 | 第31-32页 |
| 2.5.2 Zn O纳米棒阵列的表征 | 第32-35页 |
| 2.5.3 Zn O纳米棒阵列的生长机制 | 第35-36页 |
| 2.6 本章小结 | 第36-37页 |
| 第二章 参考文献 | 第37-39页 |
| 3 不同形貌ZnO基传感器气敏性能的研究 | 第39-53页 |
| 3.1 引言 | 第39页 |
| 3.2 ZnO基气体传感器的制备 | 第39-42页 |
| 3.3 元件的气敏性能 | 第42-47页 |
| 3.3.1 气敏元件的最佳工作温度 | 第42-44页 |
| 3.3.2 气敏元件的灵敏度 | 第44-45页 |
| 3.3.3 气敏元件的响应时间和恢复时间 | 第45-46页 |
| 3.3.4 气敏元件的选择性 | 第46-47页 |
| 3.4 形貌对气敏性能的影响机制 | 第47-50页 |
| 3.4.1 样品的比表面积和室温光致发光谱 | 第47-49页 |
| 3.4.2 气敏性能差异的原因 | 第49-50页 |
| 3.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 第三章参考文献 | 第51-53页 |
| 4 敏感层涂敷方法对ZnO基气体传感器酒敏性能的影响 | 第53-68页 |
| 4.1 引言 | 第53-54页 |
| 4.2 ZnO纳米棒阵列和粉体ZnO纳米棒的制备和表征 | 第54-59页 |
| 4.2.1 Zn O纳米棒阵列和粉体Zn O纳米棒的制备 | 第54-55页 |
| 4.2.2 Zn O纳米棒阵列和粉体Zn O纳米棒的表征 | 第55-59页 |
| 4.3 气体传感器的制备 | 第59页 |
| 4.4 元件的气敏性能 | 第59-64页 |
| 4.4.1 气敏元件的最佳工作温度 | 第59-60页 |
| 4.4.2 气敏元件的灵敏度 | 第60-62页 |
| 4.4.3 气敏元件的响应时间和恢复时间 | 第62-63页 |
| 4.4.4 气敏元件的选择性 | 第63页 |
| 4.4.5 气敏元件的稳定性 | 第63-64页 |
| 4.5 本章小结 | 第64-65页 |
| 第四章 参考文献 | 第65-68页 |
| 5 结论与展望 | 第68-70页 |
| 5.1 结论 | 第68-69页 |
| 5.2 展望 | 第69-70页 |
| 个人简历及攻读硕士学位期间发表的论文 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
