| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第10-12页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第12-14页 |
| 1.2.1 TaN薄膜材料国内外研究现状 | 第12-13页 |
| 1.2.2 微波衰减器国内外研究现状 | 第13-14页 |
| 1.3 选题依据 | 第14页 |
| 1.4 主要研究内容 | 第14-15页 |
| 第二章 Ti掺杂TaN薄膜的制备及性能研究 | 第15-25页 |
| 2.1 TaN薄膜制备及测试方法 | 第15-19页 |
| 2.1.1 TaN薄膜的制备 | 第15-18页 |
| 2.1.2 TaN薄膜的测试 | 第18-19页 |
| 2.2 Ti掺杂对TaN薄膜的影响 | 第19-22页 |
| 2.2.1 Ti/Ta面积比对TaN薄膜方阻及电阻率的影响 | 第20-21页 |
| 2.2.2 Ti/Ta面积比对TaN薄膜TCR的影响 | 第21-22页 |
| 2.3 （TaN、TiN）/（Ta、Ti）多层膜对薄膜的影响 | 第22-23页 |
| 2.3.1 不同金属层溅射时间对薄膜电阻率的影响 | 第22-23页 |
| 2.3.2 不同金属层溅射时间对薄膜TCR的影响 | 第23页 |
| 2.4 本章小结 | 第23-25页 |
| 第三章 微波衰减器的设计与仿真 | 第25-44页 |
| 3.1 微波衰减器概况 | 第25-31页 |
| 3.1.1 微波衰减器原理 | 第25页 |
| 3.1.2 微波衰减器用途 | 第25-26页 |
| 3.1.3 微波衰减器指标 | 第26-27页 |
| 3.1.4 微波衰减器分类 | 第27-31页 |
| 3.2 衰减器的设计与仿真 | 第31-42页 |
| 3.2.1 二阶同阻式T型衰减器 | 第34-38页 |
| 3.2.2 三阶同阻式T型衰减器 | 第38-42页 |
| 3.3 本章小结 | 第42-44页 |
| 第四章 微波衰减器的制备与测试 | 第44-65页 |
| 4.1 衰减器的制备 | 第44-52页 |
| 4.1.1 光刻工艺简介 | 第44-46页 |
| 4.1.2 三种曝光方式介绍 | 第46-47页 |
| 4.1.3 薄膜电阻制备及图形化 | 第47-49页 |
| 4.1.4 电极制备及图形化 | 第49-52页 |
| 4.2 衰减器性能测试 | 第52-63页 |
| 4.2.1 衰减器微波性能测试 | 第52-60页 |
| 4.2.2 衰减器功率承载能力测试 | 第60-63页 |
| 4.3 本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 结论与展望 | 第65-67页 |
| 5.1 结论 | 第65-66页 |
| 5.2 展望 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-71页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第71-72页 |
