| 摘要 | 第12-14页 |
| Abstract | 第14-16页 |
| 第一章 绪论 | 第17-33页 |
| 1.1 引言 | 第17页 |
| 1.2 石墨炔材料 | 第17-25页 |
| 1.2.1 石墨炔的结构和性质 | 第17-21页 |
| 1.2.2 石墨炔的制备 | 第21-22页 |
| 1.2.3 石墨炔的应用前景 | 第22-25页 |
| 1.3 二硫化钼材料 | 第25-30页 |
| 1.3.1 二硫化钼的结构和性质 | 第25-27页 |
| 1.3.2 二硫化钼的制备 | 第27页 |
| 1.3.3 二硫化钼的应用前景 | 第27-30页 |
| 1.4 本文的研究内容及结构 | 第30-33页 |
| 第二章 基本理论与计算软件 | 第33-39页 |
| 2.1 引言 | 第33页 |
| 2.2 第一性原理方法 | 第33-38页 |
| 2.2.1 薛定谔方程和Hartree-Fock方法 | 第33-35页 |
| 2.2.2 密度泛函理论 | 第35-36页 |
| 2.2.3 交换关联泛函 | 第36-37页 |
| 2.2.4 基组和赝势 | 第37页 |
| 2.2.5 自洽场方法 | 第37-38页 |
| 2.3 本文所用计算程序包介绍 | 第38-39页 |
| 2.3.1 VASP程序包 | 第38页 |
| 2.3.2 SIESTA程序包 | 第38-39页 |
| 第三章 石墨炔材料的电子结构调控与性质研究 | 第39-51页 |
| 3.1 引言 | 第39-40页 |
| 3.2 计算方法 | 第40-41页 |
| 3.3 力学性质 | 第41-44页 |
| 3.4 电子结构及其应力调控 | 第44-50页 |
| 3.4.1 外加应变对graphyne电子结构的影响 | 第44-46页 |
| 3.4.2 外加应变对graphdiyne电子结构的影响 | 第46-48页 |
| 3.4.3 外加应变对graphyne-3 和graphyne-4 电子结构的影响 | 第48-50页 |
| 3.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 石墨炔纳米带的电子结构和输运性质研究 | 第51-67页 |
| 4.1 引言 | 第51-52页 |
| 4.2 计算方法 | 第52页 |
| 4.3 α-石墨炔纳米带的几何与电子结构 | 第52-57页 |
| 4.3.1 扶手椅形 α-石墨炔纳米带的基态性质 | 第53-56页 |
| 4.3.2 锯齿形 α-石墨炔纳米带的基态性质 | 第56页 |
| 4.3.3 电场对锯齿形 α-石墨炔纳米带能带的调制 | 第56-57页 |
| 4.4 锯齿形 α-石墨炔纳米带的自旋输运特性 | 第57-66页 |
| 4.4.1 结构对称性对输运性质的影响 | 第57-61页 |
| 4.4.2 自旋过滤效应 | 第61-65页 |
| 4.4.3 磁电阻效应 | 第65-66页 |
| 4.5 本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 单层二硫化钼及其纳米带的电子结构调控与性质研究 | 第67-83页 |
| 5.1 引言 | 第67页 |
| 5.2 计算方法 | 第67-68页 |
| 5.3 单层二硫化钼的电子结构及其应力调控 | 第68-73页 |
| 5.3.1 能带结构和态密度 | 第68-70页 |
| 5.3.2 带隙及有效质量的随应变的变化 | 第70-73页 |
| 5.4 扶手椅形二硫化钼纳米带电子结构的电场调控 | 第73-79页 |
| 5.4.1 电场对单层纳米带能带的影响 | 第74-77页 |
| 5.4.2 电场对多层纳米带能带的影响 | 第77-79页 |
| 5.5 本章小结 | 第79-83页 |
| 第六章 单层二硫化钼表面吸附与替位掺杂研究 | 第83-103页 |
| 6.1 引言 | 第83页 |
| 6.2 计算方法 | 第83-84页 |
| 6.3 原子吸附与替位掺杂对单层二硫化钼电磁学性质的影响 | 第84-95页 |
| 6.3.1 单原子吸附 | 第84-89页 |
| 6.3.2 双原子团吸附 | 第89-92页 |
| 6.3.3 单原子替位掺杂 | 第92-95页 |
| 6.4 单层二硫化钼表面气体分子的吸附特性 | 第95-101页 |
| 6.4.1 吸附构型及吸附能 | 第95-98页 |
| 6.4.2 电荷转移性质 | 第98-101页 |
| 6.5 本章小结 | 第101-103页 |
| 第七章 石墨烯/二硫化钼范德瓦尔斯异质结性质研究 | 第103-113页 |
| 7.1 引言 | 第103-104页 |
| 7.2 计算方法 | 第104页 |
| 7.3 几何结构 | 第104-107页 |
| 7.4 电子结构及其电场调控 | 第107-112页 |
| 7.5 本章小结 | 第112-113页 |
| 第八章 总结与展望 | 第113-119页 |
| 8.1 主要研究内容和结论 | 第113-115页 |
| 8.2 本文创新点及其科学意义 | 第115-116页 |
| 8.3 后续工作展望 | 第116-119页 |
| 致谢 | 第119-121页 |
| 参考文献 | 第121-137页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第137-138页 |
