| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 引言 | 第9-27页 |
| 1.1 纳机电系统概述 | 第9-10页 |
| 1.1.1 纳机电系统的定义 | 第9-10页 |
| 1.1.2 纳机电系统的研究现状 | 第10页 |
| 1.2 石墨烯概述 | 第10-14页 |
| 1.2.1 石墨烯材料特性 | 第10-12页 |
| 1.2.2 石墨烯的制备 | 第12-14页 |
| 1.3 纳机电谐振器发展动态 | 第14-25页 |
| 1.3.1 材料 | 第15-17页 |
| 1.3.2 制备工艺 | 第17-18页 |
| 1.3.3 激励与检测技术 | 第18页 |
| 1.3.4 微波纳机电谐振器发展动态 | 第18-25页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第25-27页 |
| 第二章 纳机电谐振器的物理机理与特性研究 | 第27-36页 |
| 2.1 纳机电谐振器的基本原理 | 第27-28页 |
| 2.2 各个物理量对纳机电谐振器谐振频率的影响 | 第28-33页 |
| 2.2.1 梁的宽度对谐振频率的影响 | 第29-30页 |
| 2.2.2 梁的长度对谐振频率的影响 | 第30页 |
| 2.2.3 梁的厚度对谐振频率的影响 | 第30-31页 |
| 2.2.4 梁材料的密度对谐振频率的影响 | 第31-32页 |
| 2.2.5 梁材料的杨氏模量对谐振频率的影响 | 第32-33页 |
| 2.2.6 梁材料的初始张力对谐振频率的影响 | 第33页 |
| 2.3 石墨烯/氧化石墨烯（G/GO）梁理论分析 | 第33-34页 |
| 2.4 纳机电谐振器的偏置电压Vgs对谐振频率的影响 | 第34-35页 |
| 2.5 本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 纳机电谐振器的机电效应分析 | 第36-56页 |
| 3.1 顶栅结构的G-FET高频工作特性的分析 | 第36-43页 |
| 3.1.1 石墨烯G-FET I-V模型 | 第36-39页 |
| 3.1.2 石墨烯场效应晶体管G-FET的小信号模型 | 第39-40页 |
| 3.1.3 石墨烯场效应晶体管G-FET的大信号模型 | 第40-43页 |
| 3.2 纳机电谐振器的高频场效应等效电路模型分析 | 第43-46页 |
| 3.3 纳机电谐振器的场效应模型与梁振动模型关联研究 | 第46-48页 |
| 3.3.1 电容变化引入的IgcRF模型 | 第46-47页 |
| 3.3.2 机械振动引入的场效应高频电流模型 | 第47-48页 |
| 3.4 石墨烯纳机电谐振器RCT模型拟合仿真 | 第48-53页 |
| 3.5 石墨烯/氧化石墨烯（G/GO）梁纳机电谐振器仿真 | 第53-55页 |
| 3.6 本章小结 | 第55-56页 |
| 第四章 石墨烯纳机电谐振器的制备工艺和检测方法 | 第56-70页 |
| 4.1 石墨烯的制备和转移 | 第56-59页 |
| 4.2 氧化石墨烯的制备和构形 | 第59-61页 |
| 4.3 电极与G/GO梁的实现研究 | 第61页 |
| 4.4 纳机电谐振器的制备工艺 | 第61-67页 |
| 4.4.1 栅电极制作 | 第62-63页 |
| 4.4.2 石墨烯的转移 | 第63-64页 |
| 4.4.3 石墨烯/氧化石墨烯（G/GO）的刻蚀 | 第64-65页 |
| 4.4.4 源、漏电极制备 | 第65-66页 |
| 4.4.5 G/GO的悬置 | 第66-67页 |
| 4.5 石墨烯纳机电谐振器的检测方法 | 第67-69页 |
| 4.6 本章小结 | 第69-70页 |
| 第五章 结论 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第76-77页 |
