| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 符号对照表 | 第15-16页 |
| 缩略语对照表 | 第16-20页 |
| 第一章 绪论 | 第20-32页 |
| 1.1 研究背景 | 第20-23页 |
| 1.2 基片集成波导技术研究现状 | 第23-25页 |
| 1.3 SIWF技术研究进展 | 第25-29页 |
| 1.4 本文主要内容及组织架构 | 第29-32页 |
| 第二章 微波/毫米波SIWF设计基础 | 第32-54页 |
| 2.1 微波/毫米波SIWF理论分析基础 | 第32-36页 |
| 2.2 SIW的结构形式与发展 | 第36-39页 |
| 2.3 SIW分析方法 | 第39-45页 |
| 2.4 基片集成波导馈源设计 | 第45-52页 |
| 2.5 本章小结 | 第52-54页 |
| 第三章 双模SIWF模式设计方法研究 | 第54-72页 |
| 3.1 引言 | 第54页 |
| 3.2 SIW滤波器的双模扰动与耦合原理 | 第54-61页 |
| 3.3 附加双Z形槽线的双模SIWF | 第61-66页 |
| 3.4 利用组合槽线实现双通带可调节SIWF | 第66-69页 |
| 3.5 双模SIWF损耗分析 | 第69-70页 |
| 3.6 本章小结 | 第70-72页 |
| 第四章 高阻硅深通孔刻蚀工艺研究 | 第72-92页 |
| 4.1 引言 | 第72-73页 |
| 4.2 KOH溶液湿法刻蚀工艺对SI材料刻蚀形貌的影响 | 第73-80页 |
| 4.3 红外/紫外激光直接刻蚀方法对高阻SI材料刻蚀形貌的影响 | 第80-84页 |
| 4.4 BOSCHICP刻蚀工艺对SI材料刻蚀形貌的影响 | 第84-91页 |
| 4.5 本章小结 | 第91-92页 |
| 第五章 高阻硅SIWF的设计、加工与测试 | 第92-110页 |
| 5.1 引言 | 第92页 |
| 5.2 高阻硅SIWF设计 | 第92-103页 |
| 5.3 高阻硅SIWF关键工艺流程 | 第103-107页 |
| 5.4 测试结果分析 | 第107-108页 |
| 5.5 本章小结 | 第108-110页 |
| 第六章 新型LTCC毫米波谐振腔与SIWF | 第110-130页 |
| 6.1 引言 | 第110-111页 |
| 6.2 新型3-DSICWR毫米波滤波器 | 第111-121页 |
| 6.3 新型3-DSICR毫米波滤波器 | 第121-127页 |
| 6.4 小结 | 第127-130页 |
| 第七章 结束语 | 第130-132页 |
| 7.1 论文研究的主要成果 | 第130-131页 |
| 7.2 需要进一步研究的问题 | 第131-132页 |
| 参考文献 | 第132-144页 |
| 致谢 | 第144-146页 |
| 作者简介 | 第146-148页 |
