| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 课题研究背景目的及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状及发展动态 | 第10-12页 |
| 1.3 主要切削温度测量技术介绍 | 第12-14页 |
| 1.4 薄膜热电偶的发展及应用 | 第14-17页 |
| 1.5 本文研究的主要内容 | 第17-18页 |
| 第二章 嵌入式薄膜热电偶切削温度刀具设计及理论分析 | 第18-34页 |
| 2.1 热电偶的基本原理 | 第18-21页 |
| 2.1.1 赛贝克效应 | 第18-20页 |
| 2.1.2 热电偶测温重要定律 | 第20-21页 |
| 2.2 刀具前刀面温度场有限元模拟仿真 | 第21-26页 |
| 2.2.1 建模及仿真参数的选择 | 第21-24页 |
| 2.2.2 切削过程模拟及结果分析 | 第24-26页 |
| 2.3 薄膜热电偶测温刀具设计 | 第26-33页 |
| 2.3.1 刀具及薄膜热电偶的选材 | 第26-28页 |
| 2.3.2 薄膜热电偶的设计 | 第28-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 热电偶薄膜及绝缘膜的工艺研究 | 第34-57页 |
| 3.1 热电偶薄膜的制备方法 | 第34-35页 |
| 3.2 靶材和基底的选择 | 第35-37页 |
| 3.3 电极薄膜制备参数研究 | 第37-50页 |
| 3.3.1 NiSi薄膜制备操作规程 | 第37-38页 |
| 3.3.2 制备方案的单因素试验及结果表征 | 第38-42页 |
| 3.3.3 制备方案的正交试验及结果表征 | 第42-48页 |
| 3.3.4 NiSi薄膜溅射速率确定 | 第48-50页 |
| 3.4 氮化硅绝缘膜的制备及性能分析 | 第50-56页 |
| 3.4.1 绝缘膜及保护膜的选材 | 第50-51页 |
| 3.4.2 氮化硅绝缘膜的制备 | 第51-52页 |
| 3.4.3 氮化硅薄膜厚度和绝缘性检测 | 第52-53页 |
| 3.4.4 氮化硅绝缘膜成分分析 | 第53-56页 |
| 3.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 第四章 嵌入式薄膜热电偶的制备及性能研究 | 第57-66页 |
| 4.1 掩膜的设计与制备 | 第57-59页 |
| 4.2 刀具表面薄膜热电偶制备流程 | 第59-60页 |
| 4.3 热电偶薄膜性能检测 | 第60-63页 |
| 4.3.1 薄膜尺寸及电阻率测量 | 第60-61页 |
| 4.3.2 热电偶薄膜成分分析 | 第61-62页 |
| 4.3.3 热电偶薄膜表面质量分析 | 第62-63页 |
| 4.4 薄膜热电偶灵敏度分析 | 第63-65页 |
| 4.5 本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 总结与展望 | 第66-69页 |
| 5.1 论文主要工作 | 第66-67页 |
| 5.2 主要创新点 | 第67页 |
| 5.3 展望 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-74页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及所取得的研究成果 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |