| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-30页 |
| 1.1 透明导电薄膜的研究背景 | 第12-13页 |
| 1.2 石墨烯透明导电薄膜 | 第13-18页 |
| 1.2.1 石墨烯的基本结构与性质 | 第13-15页 |
| 1.2.2 石墨烯的制备方法 | 第15-18页 |
| 1.3 CVD法直接在绝缘基底上制备石墨烯透明导电薄膜 | 第18-20页 |
| 1.4 调控石墨烯透明导电薄膜性能的方法 | 第20-24页 |
| 1.4.1 提高石墨烯透明导电薄膜的电学性能 | 第20-23页 |
| 1.4.2 提高石墨烯透明导电薄膜的光学性能 | 第23-24页 |
| 1.5 纳米减反结构 | 第24-27页 |
| 1.5.1 纳米减反结构的原理 | 第24-25页 |
| 1.5.2 纳米减反结构的类型 | 第25-27页 |
| 1.6 本论文的选题意义和研究内容 | 第27-30页 |
| 1.6.1 石墨烯/SiO_2基纳米减反结构复合的透明导电薄膜的设计 | 第27页 |
| 1.6.2 本论文的选题意义 | 第27-28页 |
| 1.6.3 本论文的研究内容 | 第28-30页 |
| 第二章 常压CVD铜颗粒催化法在石英基底上制备石墨烯透明导电薄膜 | 第30-42页 |
| 2.1 引言 | 第30-31页 |
| 2.2 实验部分 | 第31-32页 |
| 2.2.1 实验仪器和实验材料 | 第31页 |
| 2.2.2 石墨烯透明导电薄膜的制备 | 第31-32页 |
| 2.2.3 测试与表征 | 第32页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第32-41页 |
| 2.3.1 乙酸铜浓度对石墨烯透明导电薄膜性能的影响 | 第32-34页 |
| 2.3.2 甲烷流速对石墨烯透明导电薄膜性能的影响 | 第34-35页 |
| 2.3.3 生长温度对石墨烯透明导电薄膜性能的影响 | 第35-36页 |
| 2.3.4 生长时间对石墨烯透明导电薄膜性能的影响 | 第36-38页 |
| 2.3.5 在优化的条件下制备的石墨烯透明导电薄膜的形貌和结构 | 第38-39页 |
| 2.3.6 铜颗粒在石墨烯薄膜表面的分布情况 | 第39-41页 |
| 2.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第三章 SiO_2基纳米减反结构的制备与表征 | 第42-56页 |
| 3.1 引言 | 第42页 |
| 3.2 实验部分 | 第42-45页 |
| 3.2.1 实验仪器与实验材料 | 第42-43页 |
| 3.2.2 酸催化SiO_2溶胶的制备 | 第43-44页 |
| 3.2.3 SiO_2空心纳米球溶胶的制备 | 第44页 |
| 3.2.4 SiO_2实心纳米球溶胶的制备 | 第44页 |
| 3.2.5 SiO_2基纳米减反结构的制备 | 第44-45页 |
| 3.2.6 测试与表征 | 第45页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第45-55页 |
| 3.3.1 SiO_2基纳米减反结构的制备流程 | 第45-46页 |
| 3.3.2 SiO_2空心纳米球/酸催化SiO_2溶胶减反结构 | 第46-49页 |
| 3.3.3 SiO_2实心纳米球/酸催化SiO_2溶胶纳米减反结构 | 第49-53页 |
| 3.3.4 SiO_2SNSs/ACSS 纳米减反结构的性能测试 | 第53-55页 |
| 3.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 第四章 石墨烯复合透明导电薄膜的制备及性能研究 | 第56-65页 |
| 4.1 引言 | 第56页 |
| 4.2 实验部分 | 第56-59页 |
| 4.2.1 实验仪器与实验材料 | 第56-58页 |
| 4.2.2 石墨烯复合的透明导电薄膜的制备 | 第58页 |
| 4.2.3 测试与表征 | 第58-59页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第59-64页 |
| 4.3.1 石墨烯复合透明导电薄膜的形貌表征 | 第59页 |
| 4.3.2 不同生长时间制备的石墨烯复合透明导电薄膜的质量 | 第59-60页 |
| 4.3.3 石墨烯复合透明导电薄膜的光学和电学性能 | 第60-62页 |
| 4.3.4 不同纳米减反结构对石墨烯透明导电薄膜性能的影响 | 第62-64页 |
| 4.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 结论 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-77页 |
| 硕士期间主要科研成果 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78页 |
