| 摘要 | 第1-11页 |
| Abstract | 第11-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-41页 |
| ·引言 | 第17页 |
| ·四极场质量分析器之一——四极滤质器的理论研究 | 第17-27页 |
| ·四级滤质器的基本结构与工作原理 | 第17-22页 |
| ·四极滤质器的多级场理论 | 第22-24页 |
| ·利用稳定岛改进四极滤质器的方法 | 第24-27页 |
| ·四极场质量分析器之二——离子阱的理论研究 | 第27-32页 |
| ·离子阱质量分析器的基本结构和工作原理 | 第27-29页 |
| ·新型离子阱质量分析器的结构 | 第29-31页 |
| ·离子阱中离子出射的两种模式 | 第31-32页 |
| ·四极电场的理论研究方法 | 第32-33页 |
| ·本文的主要研究内容,创新点及意义 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-41页 |
| 第二章 四极滤质器质谱峰形的影响因素及其改进方法的研究 | 第41-55页 |
| ·背景 | 第41-42页 |
| ·研究方法 | 第42-44页 |
| ·模拟结果和讨论 | 第44-53页 |
| ·第一稳定区 | 第44-46页 |
| ·第二稳定区 | 第46-47页 |
| ·方波调幅工作模式 | 第47-49页 |
| ·四极激发 | 第49-53页 |
| ·结论 | 第53页 |
| ·引文 | 第53-55页 |
| 第三章 四极激发产生的稳定岛的研究 | 第55-67页 |
| ·背景 | 第55-56页 |
| ·离子稳定岛 | 第56-58页 |
| ·离子通过率和质谱峰分辨率 | 第58-62页 |
| ·离子分离时间对峰形的影响 | 第62-64页 |
| ·四极激发的相位偏移α | 第64-65页 |
| ·结论 | 第65页 |
| ·引文 | 第65-67页 |
| 第四章 串级四极滤质器的理论研究 | 第67-80页 |
| ·背景 | 第67-68页 |
| ·模拟结果 | 第68-77页 |
| ·四极激发下的去重离子四极滤质器 | 第68-69页 |
| ·调节主RF电压去重离子 | 第69-72页 |
| ·利用四极激发形成的稳定岛的四极滤质器 | 第72-74页 |
| ·调制RF形成稳定铭岛 | 第74页 |
| ·串级四极滤质器的结构 | 第74-77页 |
| ·结果和讨论 | 第77-78页 |
| ·引文 | 第78-80页 |
| 第五章 场形可调离子阱的理论研究 | 第80-92页 |
| ·背景 | 第80-81页 |
| ·场形可调离子阱的场型建立 | 第81-82页 |
| ·场形可调离子阱的结构 | 第82-85页 |
| ·离子在场形可调离子阱中的运动轨迹 | 第85-88页 |
| ·影响场形可调离子阱性能的其它因素的研究 | 第88-89页 |
| ·总结 | 第89-90页 |
| ·引文 | 第90-92页 |
| 第六章 离子阱阵列的理论及实验研究 | 第92-113页 |
| ·背景 | 第92-93页 |
| ·离子阱阵列的研究方法 | 第93-97页 |
| ·离子阱阵列的结构 | 第93-96页 |
| ·多级场计算 | 第96页 |
| ·计算模拟 | 第96-97页 |
| ·模拟分析结果及讨论 | 第97-107页 |
| ·x_0/y_0对离子阱阵列性能的影响 | 第97-99页 |
| ·AC对离子阱阵列性能的影响 | 第99-100页 |
| ·模拟质谱峰 | 第100-103页 |
| ·离子引出槽和电极宽度对离子阱阵列性能的影响 | 第103-107页 |
| ·与实验结果的比较 | 第107-110页 |
| ·总结 | 第110页 |
| ·引文 | 第110-113页 |
| 第七章 矩形离子阱之间离子径向传递过程的理论研究 | 第113-120页 |
| ·背景 | 第113-114页 |
| ·离子径向传递的研究方法 | 第114-115页 |
| ·离子径向传递的过程 | 第115-117页 |
| ·低q值下的离子径向传递 | 第117-118页 |
| ·总结 | 第118页 |
| ·引文 | 第118-120页 |
| 第八章 总结及展望 | 第120-122页 |
| ·取得的主要成果 | 第120-121页 |
| ·不足和改进 | 第121-122页 |
| 发表论文情况 | 第122-123页 |
| 会议论文与学术报告 | 第123页 |
| 发表专利情况 | 第123-124页 |
| 致谢 | 第124-125页 |