| 目录 | 第1-4页 |
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 概述 | 第6-9页 |
| ·研究动机 | 第6-7页 |
| ·论文研究内容及贡献 | 第7页 |
| ·论文组织结构 | 第7-9页 |
| 第二章 LDO的基本结构及性能指标 | 第9-20页 |
| ·LDO的基本结构 | 第9页 |
| ·LDO的性能指标 | 第9-12页 |
| ·直流特性 | 第10-11页 |
| ·交流特性 | 第11页 |
| ·瞬态特性 | 第11-12页 |
| ·效率 | 第12页 |
| ·LDO电路的设计考虑 | 第12-20页 |
| ·环路稳定性 | 第12-16页 |
| ·噪声 | 第16-17页 |
| ·电源抑制比(PSRR) | 第17-20页 |
| 第三章 三级运算放大器的频率补偿 | 第20-37页 |
| ·三级运算放大器的基本补偿结构 | 第20-24页 |
| ·基本补偿结构 | 第20-23页 |
| ·与两级运算放大器的性能比较 | 第23-24页 |
| ·近期进展 | 第24页 |
| ·基于电流缓冲器的有源密勒频率补偿 | 第24-29页 |
| ·基本结构 | 第24-26页 |
| ·带宽拓展效应 | 第26-27页 |
| ·电容倍增效应 | 第27-28页 |
| ·用于正向放大级的有源密勒补偿电路 | 第28-29页 |
| ·用于大负载电容三级运算放大器的嵌套式有源密勒频率补偿技术 | 第29-35页 |
| ·频率补偿结构 | 第29-34页 |
| ·晶体管级设计 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-37页 |
| 第四章 全片上集成LDO的分析和设计 | 第37-49页 |
| ·全片上集成LDO的设计挑战 | 第37-42页 |
| ·频率补偿 | 第38-40页 |
| ·瞬态响应 | 第40-41页 |
| ·最新进展 | 第41-42页 |
| ·一种面积优化的全片上集成LDO的分析和设计 | 第42-48页 |
| ·电路结构 | 第42-44页 |
| ·环路稳定性的详细分析 | 第44-48页 |
| 参考文献 | 第48-49页 |
| 第五章 芯片验证和测试结果 | 第49-63页 |
| ·三级运算放大器 | 第49-58页 |
| ·流片验证 | 第49-50页 |
| ·测试过程 | 第50-58页 |
| ·全片上集成LDO | 第58-62页 |
| ·流片验证 | 第58-59页 |
| ·实验结果 | 第59-62页 |
| 参考文献 | 第62-63页 |
| 第六章 总结与展望 | 第63-65页 |
| ·成果总结 | 第63页 |
| ·未来展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |