| 内容提要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 前言 | 第10-24页 |
| 1.1 OLED 现状及其发展前景 | 第11-12页 |
| 1.2 OLEDs 结构 | 第12页 |
| 1.3 OLEDs 发光机理 | 第12-13页 |
| 1.4 OLED 材料 | 第13-23页 |
| 1.4.1 基板与电极材料 | 第13-15页 |
| 1.4.2 空穴传输材料 | 第15-16页 |
| 1.4.3 空穴阻挡材料 | 第16-17页 |
| 1.4.4 发光材料 | 第17-21页 |
| 1.4.4.1 荧光材料 | 第17-18页 |
| 1.4.4.2 磷光发光 | 第18-21页 |
| 1.4.5 电子传输材料 | 第21-23页 |
| 1.5 本文研究重点与方法 | 第23-24页 |
| 第二章 B_3PyMPM﹑TM_3PyPb﹑TM_4PyPb 的合成 | 第24-33页 |
| 2.1 试剂与仪器 | 第24-25页 |
| 2.2 合成实验 | 第25-30页 |
| 2.2.1 B_3PyMPM﹑TM_3PyPb﹑TM_4PyPb合成路线图 | 第25页 |
| 2.2.2 B_3PyMPM﹑TM_3PyPb﹑TM_4PyPb 合成过程 | 第25-30页 |
| 2.3 B_3PyMPM﹑TM_3PyPb﹑TM_4PyPb 吸收发射光谱 | 第30-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 电致发光器件性能研究 | 第33-48页 |
| 3.1 材料与仪器 | 第34页 |
| 3.2 实验部分 | 第34-42页 |
| 3.2.1 器件制备 | 第34-35页 |
| 3.2.2 器件测试 | 第35-42页 |
| 3.2.2.1 以 B_3PyMPM 为电子传输层的电致发光器件 | 第35-36页 |
| 3.2.2.2 以 TM_3PyPb 为电子传输层的电致发光器件 | 第36-38页 |
| 3.2.2.3 以 TM_4PyPb 为电子传输层的电致发光器件 | 第38-40页 |
| 3.2.2.4 以 Alq_3为电子传输层的电致发光器件 | 第40-42页 |
| 3.3 材料及器件性能比较 | 第42-47页 |
| 3.3.1 器件发光光谱 | 第42-43页 |
| 3.3.2 测试结果分析 | 第43-44页 |
| 3.3.3 性能分析 | 第44-47页 |
| 3.3.3.1 开启电压 | 第44-45页 |
| 3.3.3.2 HOMO 能级 | 第45页 |
| 3.3.3.3 LUMO 能级 | 第45-46页 |
| 3.3.3.4 电子迁移率 | 第46-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 结论 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |
| 作者简介 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54页 |
