| 摘要 | 第8-10页 |
| Abstract | 第10-13页 |
| 缩略词 | 第14-15页 |
| 第1章 绪论 | 第15-34页 |
| 1.1 集成电路 | 第15-16页 |
| 1.1.1 集成电路概述 | 第15-16页 |
| 1.2 自旋电子学简介 | 第16-17页 |
| 1.2.1 自旋电子学的发展 | 第16-17页 |
| 1.3 磁电阻效应介绍 | 第17-23页 |
| 1.3.1 各向异性磁电阻效应(AMR) | 第17-18页 |
| 1.3.2 巨磁电阻效应(GMR) | 第18-19页 |
| 1.3.3 隧穿磁电阻效应 | 第19-20页 |
| 1.3.4 几何增强磁电阻效应 | 第20页 |
| 1.3.5 二极管增强的磁电阻效应 | 第20-22页 |
| 1.3.6 整流磁电阻效应 | 第22-23页 |
| 1.4 磁逻辑器件介绍 | 第23-27页 |
| 1.4.1 磁场基逻辑器件 | 第24-25页 |
| 1.4.2 自旋逻辑器件 | 第25-26页 |
| 1.4.3 全自旋逻辑器件 | 第26-27页 |
| 1.5 本论文的研究思路和内容 | 第27-29页 |
| 参考文献 | 第29-34页 |
| 第2章 样品制备及分析测试方法 | 第34-41页 |
| 2.1 薄膜样品的制备技术 | 第34-36页 |
| 2.1.1 溅射镀膜法 | 第34-35页 |
| 2.1.2 磁控溅射的基本原理 | 第35-36页 |
| 2.1.3 JGP506CI型超高真空磁控溅射仪简介 | 第36页 |
| 2.2 样品分析测试仪器及测试方法 | 第36-40页 |
| 2.2.1 磁性测量系统 | 第37-38页 |
| 2.2.2 X射线衍射仪(XRD) | 第38页 |
| 2.2.3 电学测量 | 第38-40页 |
| 参考文献 | 第40-41页 |
| 第3章 二极管增强的ZnCoO器件中的巨大磁电阻效应 | 第41-53页 |
| 3.1 引言 | 第41-42页 |
| 3.2 样品制备及实验细节 | 第42-44页 |
| 3.2.1 ZnCoO非晶磁性半导体薄膜的制备 | 第42-43页 |
| 3.2.2 二极管增强的ZnCoO器件制备 | 第43-44页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第44-48页 |
| 3.3.1 分立器件的输运性质 | 第44-46页 |
| 3.3.2 二极管增强的ZnCoO器件 | 第46-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |
| 第4章 二极管增强的ZnCoO器件理论模型 | 第53-66页 |
| 4.1 引言 | 第53页 |
| 4.2 实验细节 | 第53-55页 |
| 4.2.1 范德堡法测量ZnCoO非晶磁性半导体薄膜电阻率 | 第53-54页 |
| 4.2.2 二极管增强的ZnCoO器件理论模型 | 第54-55页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第55-63页 |
| 4.3.1 模拟计算与理论分析 | 第55-58页 |
| 4.3.2 磁体杂散场的仿真计算 | 第58-61页 |
| 4.3.3 完备逻辑功能的实现 | 第61-63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-66页 |
| 第5章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 5.1 主要内容总结 | 第66页 |
| 5.2 论文特色与创新 | 第66-67页 |
| 5.3 工作展望 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文及专利 | 第70-71页 |
| 参加的学术会议 | 第71-72页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第72页 |
