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双靶反应磁控共溅射制备氧化锌基透明导电薄膜的研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第1章 绪论第9-18页
    1.1 课题背景及研究目的意义第9-10页
    1.2 AZO 透明导电薄膜研究现状第10-16页
        1.2.1 AZO 薄膜不同制备方法的研究第11-13页
        1.2.2 AZO 薄膜工艺条件的研究第13-15页
        1.2.3 多层膜结构的研究第15-16页
    1.3 本课题主要研究内容第16-18页
第2章 薄膜的制备方法及表征手段第18-28页
    2.1 实验装置和原理第18-20页
        2.1.1 实验设备第18页
        2.1.2 磁控溅射原理第18-19页
        2.1.3 磁控溅射参数第19-20页
    2.2 AZO 薄膜的制备方法第20-22页
        2.2.1 实验相关材料准备第20-21页
        2.2.2 AZO 薄膜的沉积过程第21-22页
        2.2.3 AZO 薄膜的制备条件第22页
    2.3 AZO/Al/AZO 三层膜的制备第22-23页
        2.3.1 AZO/Al/AZO 三层膜的沉积过程第22-23页
        2.3.2 AZO/Al/AZO 三层膜的制备参数第23页
    2.4 ZnO/Ag/ZnO 三层膜的制备第23-24页
        2.4.1 ZnO/Ag/ZnO 三层膜的沉积过程第23-24页
        2.4.2 ZnO/Ag/ZnO 三层膜的制备参数第24页
    2.5 薄膜结构性能表征方法和原理第24-28页
        2.5.1 薄膜结构表征第24-25页
        2.5.2 薄膜厚度测量第25页
        2.5.3 薄膜形貌和元素含量分析第25-26页
        2.5.4 薄膜光学性能表征第26页
        2.5.5 薄膜电学性能表征第26-28页
第3章 AZO 薄膜的制备及其光电性能研究第28-47页
    3.1 引言第28页
    3.2 AZO 薄膜制备工艺参数的研究第28-33页
        3.2.1 溅射功率对 AZO 薄膜结构的影响第28-29页
        3.2.2 氧氩比对 AZO 薄膜结构的影响第29-31页
        3.2.3 溅射气压对 AZO 薄膜结构和形貌的影响第31-33页
    3.3 不同 Al 掺杂含量对 AZO 薄膜结构性能影响第33-42页
        3.3.1 Al 掺杂含量对 AZO 薄膜结构影响第35-36页
        3.3.2 Al 掺杂含量对 AZO 薄膜表面形貌影响第36-39页
        3.3.3 Al 掺杂含量对 AZO 薄膜光学性能影响第39-41页
        3.3.4 Al 掺杂含量对 AZO 薄膜电学性能影响第41-42页
    3.4 厚度对 AZO 薄膜结构性能的影响第42-43页
        3.4.1 厚度对 AZO 薄膜结构的影响第42-43页
        3.4.2 厚度对 AZO 薄膜电学性能的影响第43页
    3.5 衬底温度对 AZO 薄膜结构性能的影响第43-45页
        3.5.1 衬底温度对 AZO 薄膜结构的影响第44页
        3.5.2 衬底温度对 AZO 薄膜电学性能的影响第44-45页
    3.6 本章小结第45-47页
第4章 ZnO 基多层膜的制备及其结构性能研究第47-62页
    4.1 引言第47页
    4.2 AZO/Al/AZO 薄膜第47-53页
        4.2.1 Al 层厚度对 AZO/Al/AZO 性能影响第47-50页
        4.2.2 AZO 层厚度对 AZO/Al/AZO 性能影响第50-53页
    4.3 ZnO/Ag/ZnO 薄膜第53-60页
        4.3.1 Ag 层厚度对 ZnO/Ag/ZnO 薄膜性能影响第53-58页
        4.3.2 ZnO 层厚度对 ZnO/Ag/ZnO 薄膜性能影响第58-60页
    4.4 本章小结第60-62页
结论第62-64页
参考文献第64-71页
致谢第71页

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