| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 符号对照表 | 第13-15页 |
| 缩略语对照表 | 第15-18页 |
| 第一章 绪论 | 第18-32页 |
| 1.1 钛酸钡系正温度系数热敏电阻的基本参数及应用 | 第18-23页 |
| 1.1.1 钛酸钡系正温度系数热敏电阻的基本参数 | 第18-21页 |
| 1.1.2 钛酸钡系正温度系数热敏电阻的应用 | 第21-23页 |
| 1.2 钛酸钡系正温度系数热敏电阻的研究现状及展望 | 第23-30页 |
| 1.2.1 钛酸钡系正温度系数热敏电阻研究现状 | 第23-29页 |
| 1.2.2 钛酸钡系正温度系数热敏电阻研究面临的问题及展望 | 第29-30页 |
| 1.3 本文的选题意义及内容安排 | 第30-32页 |
| 1.3.1 选题意义 | 第30-31页 |
| 1.3.2 内容安排 | 第31-32页 |
| 第二章 钛酸钡系正温度系数热敏电阻基本理论及无铅化机理 | 第32-60页 |
| 2.1 钛酸钡系正温度系数热敏电阻基本理论 | 第32-45页 |
| 2.1.1 钛酸钡的材料特性 | 第32-33页 |
| 2.1.2 钛酸钡系PTCR的理论模型 | 第33-45页 |
| 2.2 钛酸钡系元件无铅化机理 | 第45-59页 |
| 2.2.1 铁电相变基本理论 | 第45-50页 |
| 2.2.2 钛酸钡及钛酸铅相变实验成果及铅替代物特性 | 第50-54页 |
| 2.2.3 晶界性质在无铅化研究中的重要性 | 第54-59页 |
| 2.3 小结 | 第59-60页 |
| 第三章 钛酸钡系正温度系数热敏电阻制备测试与无铅化工艺要求 | 第60-68页 |
| 3.1 钛酸钡系正温度系数热敏电阻制备工艺 | 第60-62页 |
| 3.2 钛酸钡系正温度系数热敏电阻的测试 | 第62-63页 |
| 3.3 钛酸钡系正温度系数热敏电阻无铅化工艺要求 | 第63-65页 |
| 3.4 小结 | 第65-68页 |
| 第四章 钛酸钡系正温度系数热敏电阻的室温电阻调控及晶界模型探讨 | 第68-78页 |
| 4.1 钛酸钡系正温度系数热敏电阻的室温电阻调控 | 第68-71页 |
| 4.2 晶界模型探讨 | 第71-76页 |
| 4.3 小结 | 第76-78页 |
| 第五章 钛酸钡系正温度系数热敏电阻无铅化实验研究 | 第78-110页 |
| 5.1 Y、Ca含量对元件居里温度的影响 | 第78-83页 |
| 5.1.1 Y对元件居里温度的影响 | 第78-80页 |
| 5.1.2 Ca对元件居里温度的影响 | 第80-83页 |
| 5.2 NBT对元件居里温度的影响 | 第83-88页 |
| 5.2.1 NBT粉体的合成 | 第83页 |
| 5.2.2 含NBT的钛酸钡系元件制备 | 第83-88页 |
| 5.3 KBT对元件居里温度的影响 | 第88-103页 |
| 5.3.1 KBT粉体的合成 | 第88-89页 |
| 5.3.2 KBT添加方式的研究 | 第89-93页 |
| 5.3.3 添加纯相KBT制备无铅元件 | 第93-98页 |
| 5.3.4 分开添加K_2CO_3、Bi_2O_3和TiO_2制备无铅元件 | 第98-101页 |
| 5.3.5 KBT系列无铅元件制备小结 | 第101-103页 |
| 5.4 KBT与铅共同添加以减小铅用量的实验 | 第103-105页 |
| 5.5 各种添加剂对元件微观结构的影响 | 第105-106页 |
| 5.6 小结 | 第106-110页 |
| 第六章 钛酸钡系正温度系数热敏电阻基本性能优化 | 第110-118页 |
| 6.1 调整主体配方及烧结工艺对半导化效率的提高 | 第110-112页 |
| 6.1.1 调整主体配方对半导化效率的提高 | 第110-111页 |
| 6.1.2 调整烧结工艺对半导化效率的提高 | 第111-112页 |
| 6.2 高电阻温度系数元件的制备与烧结助剂的作用 | 第112-116页 |
| 6.2.1 高电阻温度系数元件的制备 | 第112-113页 |
| 6.2.2 烧结助剂的作用 | 第113-116页 |
| 6.3 小结 | 第116-118页 |
| 第七章 总结与展望 | 第118-120页 |
| 7.1 总结 | 第118页 |
| 7.2 展望 | 第118-120页 |
| 参考文献 | 第120-128页 |
| 致谢 | 第128-130页 |
| 作者简介 | 第130页 |
