| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-26页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 层状复合薄膜材料磁电效应研究进展 | 第10-21页 |
| 1.3 层状磁性薄膜材料间磁交换耦合作用 | 第21-24页 |
| 1.4 论文的意义及主要工作 | 第24-26页 |
| 2 T-D/PZT双层薄膜间正磁电效应 | 第26-41页 |
| 2.1 T-D/PZT双层薄膜间正磁电效应的物理模型与分析方法 | 第26-30页 |
| 2.2 T-D/PZT双层薄膜间正磁电效应的等效电路 | 第30-33页 |
| 2.3 T-D/PZT双层薄膜间正磁电效应的磁电耦合系数 | 第33-34页 |
| 2.4 T-D/PZT双层薄膜间正磁电效应数值仿真 | 第34-40页 |
| 2.5 本章小结 | 第40-41页 |
| 3 T-D/PZT双层薄膜间逆磁电效应 | 第41-53页 |
| 3.1 T-D非饱和磁化时T-D/PZT双层薄膜的逆磁电效应 | 第41-48页 |
| 3.2 T-D饱和磁化时的逆磁电效应 | 第48-51页 |
| 3.3 本章小结 | 第51-53页 |
| 4 YIG/T-D双层薄膜间磁交换耦合作用 | 第53-65页 |
| 4.1 物理模型与分析方法 | 第53-54页 |
| 4.2 YIG/T-D双层薄膜系统总自由能 | 第54-58页 |
| 4.3 YIG/T-D双层薄膜系统平衡时磁化强度之间的关系 | 第58-60页 |
| 4.4 YIG/T-D双层薄膜间磁交换耦合作用数值仿真 | 第60-64页 |
| 4.5 本章小结 | 第64-65页 |
| 5 YIG/T-D/PZT三层薄膜相互作用 | 第65-70页 |
| 5.1 YIG/T-D/PZT三层薄膜的物理模型 | 第65页 |
| 5.2 YIG/T-D/PZT三层膜间的耦合作用数值仿真 | 第65-68页 |
| 5.3 YIG/T-D/PZT结构与PZT/YIG结构的对比 | 第68-69页 |
| 5.4 本章小结 | 第69-70页 |
| 6 结论 | 第70-73页 |
| 6.1 全文总结 | 第70-72页 |
| 6.2 创新点 | 第72页 |
| 6.3 进一步研究的工作 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间取得的相关科研成果 | 第85页 |
