| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-22页 |
| 1.1 多晶硅的产品分类及用途 | 第11-12页 |
| 1.1.1 多晶硅的产品分类 | 第11页 |
| 1.1.2 多晶硅的用途 | 第11-12页 |
| 1.2 国内外多晶硅的发展现状 | 第12-19页 |
| 1.2.1 国外多晶硅的发展现状 | 第12页 |
| 1.2.2 国内多晶硅发展现状 | 第12-13页 |
| 1.2.3 国内外多晶硅生产技术比较 | 第13-14页 |
| 1.2.4 多晶硅生产新型工艺 | 第14-19页 |
| 1.3 多晶硅生产中三氯氢硅精馏工艺的改进 | 第19页 |
| 1.4 本课题研究背景及主要研究内容 | 第19-22页 |
| 第2章 精馏技术概述 | 第22-38页 |
| 2.1 精馏技术的应用发展 | 第22-31页 |
| 2.1.1 精馏的基本原理 | 第22页 |
| 2.1.2 精馏过程能量分析 | 第22-25页 |
| 2.1.3 精馏过程节能研究现状 | 第25-27页 |
| 2.1.4 精馏过程流程技术改进 | 第27-30页 |
| 2.1.5 热耦合精馏技术 | 第30-31页 |
| 2.2 分隔壁塔简析 | 第31-36页 |
| 2.2.1 分隔壁塔的发展与应用 | 第31-33页 |
| 2.2.2 分隔壁塔的基本结构及原理 | 第33-35页 |
| 2.2.3 分隔壁塔的节能原理 | 第35-36页 |
| 2.3 小结 | 第36-38页 |
| 第3章 三氯氢硅精馏工艺建模 | 第38-46页 |
| 3.1 化工过程模拟 | 第38-41页 |
| 3.1.1 化工模拟软件Aspen Plus简介 | 第38-39页 |
| 3.1.2 Aspen Plus主要功能 | 第39页 |
| 3.1.3 DSTWU模块、RadFrac模块以及MultiFrac模块简介 | 第39-41页 |
| 3.2 三氯氢硅精馏工艺简介 | 第41-42页 |
| 3.2.1 三氯氢硅传统精馏工艺简介 | 第41-42页 |
| 3.2.2 三氯氢硅分壁塔精馏工艺简介 | 第42页 |
| 3.3 三氯氢硅精馏流程建模 | 第42-45页 |
| 3.3.1 物料组成及产品要求 | 第42-43页 |
| 3.3.2 物性方法的选择 | 第43-44页 |
| 3.3.3 流程建模 | 第44-45页 |
| 3.4 小结 | 第45-46页 |
| 第4章 三氯氢硅传统精馏流程的模拟研究 | 第46-54页 |
| 4.1 前言 | 第46-47页 |
| 4.2 B3塔优化分析 | 第47-49页 |
| 4.2.1 B3塔最佳进料位置的确定 | 第47页 |
| 4.2.2 B3塔最佳进料回流比的确定 | 第47-48页 |
| 4.2.3 B3塔温、度压力分布 | 第48-49页 |
| 4.2.4 B3塔汽、液相流率分布 | 第49页 |
| 4.3 B4塔优化分析 | 第49-52页 |
| 4.3.1 B4塔最佳进料位置确定 | 第49-50页 |
| 4.3.2 B4塔最佳回流比确定 | 第50-51页 |
| 4.3.3 B4塔温度、压力分布 | 第51页 |
| 4.3.4 B4塔汽、液相流率分布 | 第51-52页 |
| 4.4 传统精馏技术模拟结果 | 第52-53页 |
| 4.5 小结 | 第53-54页 |
| 第5章 三氯氢硅分隔壁精馏流程的模拟研究 | 第54-76页 |
| 5.1 分壁塔操作参数的模拟与优化 | 第54-62页 |
| 5.1.1 进料位置对塔顶、塔底、测线产品纯度的影响 | 第54-55页 |
| 5.1.2 回流比对三氯氢硅纯度及再沸器、冷凝器负荷的影响 | 第55-57页 |
| 5.1.3 测线采出位置对三氯氢硅纯度的影响 | 第57-58页 |
| 5.1.4 测线采出量对三氯氢硅纯度的影响 | 第58-59页 |
| 5.1.5 互连物流L12流量对三氯氢硅纯度的影响 | 第59-60页 |
| 5.1.6 互连物流V12流量对三氯氢硅纯度的影响 | 第60-62页 |
| 5.2 分隔壁塔内温度、各组分摩尔分率及流率分布 | 第62-72页 |
| 5.2.1 各组分摩尔分率分布 | 第62-65页 |
| 5.2.2 汽、液两相流率分布 | 第65-69页 |
| 5.2.3 温度分布 | 第69-72页 |
| 5.3 分隔壁塔模拟结果 | 第72页 |
| 5.4 两种精馏工艺设备投资对比 | 第72-73页 |
| 5.5 分隔壁精馏工艺节能原因分析 | 第73-76页 |
| 结论 | 第76-77页 |
| 展望 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-83页 |
| 致谢 | 第83页 |
