| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第11-24页 |
| 1.1 TiO_2的基本性质 | 第11-14页 |
| 1.1.1 TiO_2薄膜的晶体结构 | 第11-12页 |
| 1.1.2 TiO_2薄膜的导电特性 | 第12-13页 |
| 1.1.3 TiO_2薄膜的光学带隙 | 第13-14页 |
| 1.2 TiO_2薄膜的应用及存在的问题 | 第14-20页 |
| 1.2.1 光催化性质的应用 | 第14-17页 |
| 1.2.2 太阳能电池领域的应用 | 第17-19页 |
| 1.2.3 电子领域的应用 | 第19页 |
| 1.2.4 其它应用 | 第19页 |
| 1.2.5 存在的问题及改性途径 | 第19-20页 |
| 1.3 TiO_2薄膜的制备方法 | 第20-23页 |
| 1.3.1 物理气相沉积 | 第20-21页 |
| 1.3.2 化学气相沉积 | 第21-22页 |
| 1.3.3 溶胶凝胶法 | 第22页 |
| 1.3.4 脉冲激光沉积法 | 第22-23页 |
| 1.4 本文研究的主要内容 | 第23-24页 |
| 第二章 薄膜的制备及表征 | 第24-34页 |
| 2.1 薄膜的制备 | 第24-28页 |
| 2.1.1 射频磁控溅射原理及特征 | 第24-25页 |
| 2.1.2 本文磁控设备简介 | 第25-26页 |
| 2.1.3 薄膜的制备流程 | 第26-28页 |
| 2.2 薄膜的表征 | 第28-34页 |
| 2.2.1 XRD分析 | 第28-29页 |
| 2.2.2 膜厚测试 | 第29页 |
| 2.2.3 AFM表征形貌 | 第29-31页 |
| 2.2.4 透射光谱测试 | 第31-32页 |
| 2.2.5 电阻率测试 | 第32页 |
| 2.2.6 光催化性能测试 | 第32-34页 |
| 第三章 Ge掺杂TiO_2薄膜的制备和性质 | 第34-39页 |
| 3.1 溅射功率对Ge掺杂TiO_2薄膜结构的影响 | 第34-35页 |
| 3.2 溅射功率对Ge掺杂TiO_2薄膜表面形貌的影响 | 第35-36页 |
| 3.3 Ge掺杂TiO_2薄膜的电阻率 | 第36-37页 |
| 3.4 Ge掺杂TiO_2薄膜的光学带隙 | 第37-38页 |
| 3.5 本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 Nb掺杂TiO_2薄膜的制备和性质 | 第39-45页 |
| 4.1 溅射功率对Nb掺杂TiO_2薄膜结构的影响 | 第39-40页 |
| 4.2 Nb掺杂TiO_2薄膜的表面形貌 | 第40-43页 |
| 4.2.1 溅射功率对Nb掺杂TiO_2薄膜表面形貌的影响 | 第40-41页 |
| 4.2.2 退火温度对Nb掺杂TiO_2薄膜表面形貌的影响 | 第41-43页 |
| 4.3 Nb掺杂TiO_2薄膜的电阻率 | 第43页 |
| 4.4 Nb掺杂TiO_2薄膜的光学性质 | 第43-44页 |
| 4.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章 Ge、Nb共掺杂TiO_2薄膜的制备及其性质 | 第45-57页 |
| 5.1 溅射功率对Ge、Nb共掺杂TiO_2薄膜结构的影响 | 第45页 |
| 5.2 Ge、Nb共掺杂TiO_2薄膜的表面形貌 | 第45-47页 |
| 5.2.1 溅射功率对Ge、Nb共掺杂TiO_2薄膜表面形貌的影响 | 第45-46页 |
| 5.2.2 退火处理对Ge、Nb共掺杂TiO_2薄膜表面形貌的影响 | 第46-47页 |
| 5.3 Ge、Nb共掺杂TiO_2薄膜的电阻率 | 第47-48页 |
| 5.4 Ge、Nb共掺杂TiO_2薄膜的光学性质 | 第48-52页 |
| 5.4.1 功率对掺杂TiO_2薄膜透射光谱的影响 | 第48-49页 |
| 5.4.2 Ge、Nb共掺杂TiO_2薄膜的透射光谱 | 第49-50页 |
| 5.4.3 掺杂TiO_2薄膜光学带隙的比较 | 第50-51页 |
| 5.4.4 退火处理对掺杂TiO_2薄膜透射光谱的影响 | 第51-52页 |
| 5.5 光照条件下掺杂TiO_2薄膜的电阻率 | 第52-54页 |
| 5.6 掺杂TiO_2薄膜薄膜的光催化性质 | 第54-56页 |
| 5.7 本章小结 | 第56-57页 |
| 第六章 结论 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 攻读硕士期间公开发表的论文 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
