| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 非易失性存储器简介 | 第10-15页 |
| 1.3 阻变存储器的研究进展 | 第15-22页 |
| 1.4 基于MoS_2的阻变存储器研究进展 | 第22-24页 |
| 1.5 论文的研究内容及意义 | 第24-26页 |
| 第二章 原位透射电子显微学概述 | 第26-32页 |
| 2.1 引言 | 第26页 |
| 2.2 透射电子显微镜简介 | 第26-29页 |
| 2.2.1 透射电子显微镜的基本结构 | 第26-27页 |
| 2.2.2 透射电子显微镜的表征手段 | 第27-29页 |
| 2.3 原位透射电子显微学简介 | 第29-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 电场平行于MoS_2层间方向的器件结构的阻变机理研究 | 第32-48页 |
| 3.1 引言 | 第32页 |
| 3.2 样品准备 | 第32-33页 |
| 3.3 MoS_2结构表征 | 第33-34页 |
| 3.4 阻变机理研究 | 第34-45页 |
| 3.4.1 导电细丝的生长和破灭过程 | 第35-39页 |
| 3.4.2 导电细丝的成分 | 第39-41页 |
| 3.4.3 导电细丝的生长模式 | 第41-45页 |
| 3.5 电子束辐照的影响 | 第45-46页 |
| 3.6 本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 电场垂直于MoS_2层间方向的器件结构的阻变机理研究 | 第48-56页 |
| 4.1 引言 | 第48页 |
| 4.2 MoS_2结构表征 | 第48-49页 |
| 4.3 阻变机理研究 | 第49-52页 |
| 4.4 电子束辐照的影响 | 第52-54页 |
| 4.5 本章小结 | 第54-56页 |
| 第五章 总结与展望 | 第56-58页 |
| 5.1 总结 | 第56页 |
| 5.2 展望 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-68页 |
| 作者简介 | 第68页 |