| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-26页 |
| 1.1 锂离子电池发展历程 | 第11-13页 |
| 1.2 锂离子电池工作原理 | 第13页 |
| 1.3 锂离子电池正极材料 | 第13-16页 |
| 1.3.1 层状结构LiMO_2 | 第14-15页 |
| 1.3.2 橄榄石结构LiMPO_4 | 第15-16页 |
| 1.3.3 尖晶石结构LiMn_2O_4 | 第16页 |
| 1.4 锂离子电池负极材料 | 第16-19页 |
| 1.4.1 碳基负极 | 第17页 |
| 1.4.2 过渡金属氧化物负极 | 第17-18页 |
| 1.4.3 合金类负极 | 第18-19页 |
| 1.5 硅基负极 | 第19-23页 |
| 1.5.1 硅基负极的储锂机理 | 第19-21页 |
| 1.5.2 硅负极面临的问题 | 第21-22页 |
| 1.5.3 硅负极的改性方法 | 第22-23页 |
| 1.6 硅薄膜的制备方法 | 第23-24页 |
| 1.6.1 溅射法 | 第24页 |
| 1.6.2 等离子体增强化学气相沉积法 | 第24页 |
| 1.6.3 热丝催化化学气相沉积法 | 第24页 |
| 1.7 本论文的主要研究内容 | 第24-25页 |
| 1.8 本论文主要创新点 | 第25-26页 |
| 第二章 样品制备及测试表征方法 | 第26-31页 |
| 2.1 样品制备的原料及仪器设备 | 第26页 |
| 2.2 CuO纳米线阵列的制备 | 第26-27页 |
| 2.2.1 电化学工作站原理介绍 | 第27页 |
| 2.2.2 电化学沉积CuO纳米线阵列 | 第27页 |
| 2.3 硅薄膜的制备 | 第27-29页 |
| 2.3.1 PECVD原理介绍 | 第28-29页 |
| 2.3.2 PECVD沉积硅薄膜 | 第29页 |
| 2.4 电池组装和测试 | 第29-30页 |
| 2.5 测试与表征 | 第30-31页 |
| 第三章 退火工艺对CuO纳米线阵列结构和形貌的影响 | 第31-36页 |
| 3.1 不同退火工艺下CuO样品的结构和形貌分析 | 第31-34页 |
| 3.2 小结 | 第34-36页 |
| 第四章 沉积时间和掺杂对硅薄膜结构和形貌的影响 | 第36-44页 |
| 4.1 沉积时间对Si-CuO纳米线阵列的影响 | 第36-38页 |
| 4.2 C掺杂对Si-CuO纳米线阵列的影响 | 第38-40页 |
| 4.3 C/B掺杂对Si-CuO纳米线阵列的影响 | 第40-43页 |
| 4.4 小结 | 第43-44页 |
| 第五章 C/B掺杂对电池性能的影响 | 第44-56页 |
| 5.1 C掺杂对电池性能的影响 | 第44-51页 |
| 5.2 C/B掺杂对电池性能的影响 | 第51-54页 |
| 5.3 小结 | 第54-56页 |
| 第六章 总结和展望 | 第56-58页 |
| 6.1 全文总结 | 第56-57页 |
| 6.2 展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-67页 |
| 附录 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |