| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 热电材料的研究背景 | 第10页 |
| 1.2 热电学基本理论 | 第10-13页 |
| 1.3 热电材料的研究进展 | 第13-16页 |
| 1.3.1 传统热电材料 | 第13-14页 |
| 1.3.2 新型热电材料 | 第14-16页 |
| 第2章 理论基础 | 第16-24页 |
| 2.1 第一性原理 | 第16页 |
| 2.2 多粒子体系的第一性原理 | 第16页 |
| 2.3 多粒子系统的Schrodinger方程 | 第16-17页 |
| 2.4 密度泛函理论 | 第17-20页 |
| 2.4.1 Tomas-Fermi模型 | 第17-18页 |
| 2.4.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第18页 |
| 2.4.3 Kohn-Sham方程 | 第18-20页 |
| 2.5 交换关联泛函 | 第20-24页 |
| 2.5.1 局域密度近似(LDA) | 第20-21页 |
| 2.5.2 广义梯度近似(GGA) | 第21-22页 |
| 2.5.3 赝势方法(Pseudo-potential methods) | 第22-24页 |
| 第3章 Bi_2Se_3的晶体结构 | 第24-34页 |
| 3.1 Bi_2Se_3晶体结构 | 第24-25页 |
| 3.2 含有本征缺陷V_(Se_1)的Bi_2Se_3晶体结构 | 第25-26页 |
| 3.3 计算细节 | 第26-27页 |
| 3.4 零压下Bi_2Se_3态密度图 | 第27-29页 |
| 3.5 零压下完整Bi_2Se_3与含本征缺陷V_(Se_1)的Bi_2Se_3的电荷密度 | 第29-30页 |
| 3.6 不同压强下含本征缺陷V_(Se_1)的Bi_2Se_3的态密度 | 第30-31页 |
| 3.7 不同压强下含本征缺陷V_(Se_1)的Bi_2Se_3的晶格参数变化 | 第31-32页 |
| 3.8 不同压强下含本征缺陷V_(Se_1)的Bi_2Se_3的电荷密度图 | 第32-34页 |
| 第4章 不同压强下含本征缺陷V_(Se_1)的Bi_2Se_3的热电性能 | 第34-42页 |
| 4.1 BoltzTrap软件包 | 第34-35页 |
| 4.2 压强对含本征缺陷V_(Se_1)的Bi_2Se_3的Seeback系数的影响 | 第35-37页 |
| 4.3 压强对含本征缺陷V_(Se_1)的Bi_2Se_3的σ/τ的影响 | 第37-40页 |
| 4.4 压强对含本征缺陷V_(Se_1)的Bi_2Se_3的zT值的影响 | 第40-42页 |
| 第5章 结论 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-46页 |
| 攻读硕士学位期间的科研成果 | 第46-47页 |
| 致谢 | 第47页 |
