摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第11-15页 |
1.1 研究背景 | 第11页 |
1.2 国内外研究现状 | 第11-12页 |
1.3 论文研究内容及意义 | 第12-13页 |
1.4 论文组织结构 | 第13-15页 |
第2章 振荡器基本理论 | 第15-29页 |
2.1 振荡器工作原理的简要分析 | 第15-20页 |
2.1.1 Barkhausen准则 | 第15-17页 |
2.1.2 单端负阻电路 | 第17-20页 |
2.1.3 双端负阻电路 | 第20页 |
2.2 压控振荡器 | 第20-23页 |
2.2.1 压控振荡器的数学模型 | 第21-22页 |
2.2.2 压控振荡器的性能参数 | 第22-23页 |
2.3 振荡器的相位噪声 | 第23-27页 |
2.3.1 相位噪声的基本概念 | 第23-24页 |
2.3.2 相位噪声的影响 | 第24-25页 |
2.3.3 相位噪声的量化分析和度量 | 第25-27页 |
2.4 本章小结 | 第27-29页 |
第3章 环型振荡器的压控特性和补偿电压的温度、工艺特性 | 第29-55页 |
3.1 对环形振荡器进行温度和工艺补偿的思路 | 第29页 |
3.2 半导体器件关键参数随温度和工艺变化的情况 | 第29-37页 |
3.2.1 MOS管阈值电压随温度变化的情况 | 第30-32页 |
3.2.2 MOS管阈值电压随工艺偏差而变化的情况 | 第32-34页 |
3.2.3 载流子迁移率随温度的变化情况 | 第34-35页 |
3.2.4 双极型晶体管(BJT)反向饱和电流密度I_s和基射极电压υ_(BE)随温度的变化情况 | 第35-37页 |
3.3 环形振荡器的频率特性和压控特性 | 第37-42页 |
3.3.1 环形振荡器的频率随温度和工艺角的变化情况 | 第37-39页 |
3.3.2 环形振荡器的压控特性 | 第39-42页 |
3.4 环形振荡器的相位噪声和时钟抖动 | 第42-46页 |
3.4.1 基于冲激灵敏度函数的相位噪声模型 | 第42-43页 |
3.4.2 环形振荡器的时钟抖动 | 第43-44页 |
3.4.3 环形振荡器的相位噪声和时钟抖动之间的关系 | 第44-46页 |
3.5 补偿电压 | 第46-53页 |
3.5.1 MOS管的栅源电压选作补偿电压 | 第46-48页 |
3.5.2 两个PNP管串联产生的电压 | 第48-49页 |
3.5.3 补偿电压的另一种选择方案 | 第49-52页 |
3.5.4 补偿电压产生电路 | 第52-53页 |
3.6 本章小结 | 第53-55页 |
第4章 将补偿电压构建成环形振荡器控制电压的方法 | 第55-73页 |
4.1 以控制电压为目标函数的数学模型 | 第55页 |
4.2 以最小二乘法计算补偿电压的组合系数 | 第55-57页 |
4.3 运算电路的设计 | 第57-59页 |
4.4 运算放大器的设计 | 第59-66页 |
4.4.1 同源偏置两级运放输出点的直流稳定性问题 | 第59-61页 |
4.4.2 运放输出点对于负载电流差的消化能力 | 第61-63页 |
4.4.3 电流、增益、面积之间的平衡 | 第63-65页 |
4.4.4 运放的输入共模范围问题 | 第65-66页 |
4.5 经过补偿之后的整体电路 | 第66-71页 |
4.5.1 补偿之后环形振荡器的整体电路图 | 第66-67页 |
4.5.2 环形振荡器的补偿效果 | 第67-70页 |
4.5.3 电路误差分析 | 第70-71页 |
4.6 本章小结 | 第71-73页 |
第5章 电路的版图设计和后仿真 | 第73-85页 |
5.1 版图设计规则 | 第73-74页 |
5.2 版图设计要点 | 第74-81页 |
5.2.1 版图布局 | 第74-75页 |
5.2.2 电源线和接地线的干扰 | 第75-76页 |
5.2.3 全差分设计与匹配 | 第76页 |
5.2.4 保护环消除衬底噪声 | 第76-77页 |
5.2.5 防闩锁设计 | 第77-78页 |
5.2.6 屏蔽 | 第78-81页 |
5.3 补偿之后的振荡器整体版图及其仿真 | 第81-84页 |
5.4 本章小结 | 第84-85页 |
第6章 总结与展望 | 第85-87页 |
6.1 总结 | 第85页 |
6.2 展望 | 第85-87页 |
参考文献 | 第87-91页 |
作者简介 | 第91-93页 |
附录A 源极跟随器与共栅极并联产生的负阻的大信号分析 | 第93-97页 |
附录B 复变函数方法在振荡器噪声分析中的应用 | 第97-99页 |
附录C 补偿电压和控制电压在不同工艺角和温度下的值 | 第99-101页 |
附录D 关于重负载管联放大器不能像轻负载管联放大器一样降低Miller电容效应的观点的证明 | 第101-107页 |
附录E 温度和工艺角仿真的程序代码 | 第107-113页 |
致谢 | 第113页 |