| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-23页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 硅基中红外波导器件研究现状 | 第9-16页 |
| 1.2.1 SOI中红外硅波导器件 | 第10-15页 |
| 1.2.2 其他材料平台的中红外硅波导器件 | 第15-16页 |
| 1.3 中红外光调控的现状和问题 | 第16-18页 |
| 1.4 本论文的研究内容与主要目的 | 第18-20页 |
| 1.5 参考文献 | 第20-23页 |
| 第2章 中红外悬浮定向耦合器型光开关的设计 | 第23-36页 |
| 2.1 MOEMS理论分析 | 第23-27页 |
| 2.1.1 欧拉·伯努力栋梁方程 | 第23-24页 |
| 2.1.2 基于MOEMS的应用 | 第24-26页 |
| 2.1.3 悬浮定向耦合器与MOEMS相结合 | 第26-27页 |
| 2.2 中红外悬浮定向耦合器型光开关的设计 | 第27-34页 |
| 2.2.1 双矩形波导定向耦合器的原理 | 第27-28页 |
| 2.2.2 中红外悬浮定向耦合器型光开关的尺寸设计 | 第28-31页 |
| 2.2.3 中红外悬浮定向耦合器型光开关的光刻板设计 | 第31-34页 |
| 2.3 本章小结 | 第34-35页 |
| 2.4 参考文献 | 第35-36页 |
| 第3章 中红外悬浮定向耦合器型光开关的制作 | 第36-51页 |
| 3.1 实验工艺介绍 | 第36-38页 |
| 3.1.1 硅片的清洗 | 第36页 |
| 3.1.2 光刻工艺 | 第36-37页 |
| 3.1.3 刻蚀工艺 | 第37-38页 |
| 3.2 中红外悬浮定向耦合器型光开关制作步骤 | 第38-42页 |
| 3.2.1 清洗 | 第38-39页 |
| 3.2.2 第一次光刻 | 第39-40页 |
| 3.2.3 硅刻蚀 | 第40-41页 |
| 3.2.4 套刻 | 第41页 |
| 3.2.5 二氧化硅刻蚀 | 第41-42页 |
| 3.3 实验结果分析 | 第42-46页 |
| 3.3.1 光刻结果 | 第42-43页 |
| 3.3.2 硅刻蚀结果 | 第43-45页 |
| 3.3.3 套刻结果 | 第45页 |
| 3.3.4 二氧化硅刻蚀结果 | 第45-46页 |
| 3.4 器件的测试展望 | 第46-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-51页 |
| 第4章 中红外SPP光开关的设计及理论分析 | 第51-69页 |
| 4.1 等离子波波导理论 | 第51-55页 |
| 4.1.1 表面等离子波(SPP) | 第51-52页 |
| 4.1.2 杂化等离子波(HPP) | 第52-53页 |
| 4.1.3 杂化等离子波的应用 | 第53-55页 |
| 4.2 所需材料的特性分析 | 第55-58页 |
| 4.2.1 中红外低损耗材料 | 第55-56页 |
| 4.2.2 相变材料二氧化钒 | 第56-57页 |
| 4.2.3 吸收材料氧化铟锡 | 第57-58页 |
| 4.3 等离子波光开关的设计与理论仿真 | 第58-65页 |
| 4.3.1 工作原理 | 第58-59页 |
| 4.3.2 等离子波光开关的设计 | 第59-63页 |
| 4.3.3 等离子波光开关的改进 | 第63-65页 |
| 4.4 本章小结 | 第65-67页 |
| 4.5 参考文献 | 第67-69页 |
| 第5章 总结与展望 | 第69-71页 |
| 攻读硕士学位期间所取得的研究成果 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72页 |