Tb3Ga5O12晶体生长工艺研究
摘要 | 第3-4页 |
ABSTRACT | 第4页 |
第一章 绪论 | 第7-21页 |
1.1 引言 | 第7页 |
1.2 磁光效应 | 第7-9页 |
1.2.1 法拉第(Faraday)效应 | 第7-8页 |
1.2.2 Kerr效应 | 第8-9页 |
1.2.3 科顿-穆顿效应 | 第9页 |
1.2.4 塞曼效应 | 第9页 |
1.3 磁光材料的分类 | 第9-17页 |
1.3.1 磁光玻璃 | 第9-12页 |
1.3.2 磁光晶体 | 第12-16页 |
1.3.3 磁光陶瓷 | 第16页 |
1.3.4 磁光薄膜 | 第16-17页 |
1.4 磁光晶体的应用 | 第17-19页 |
1.4.1 光隔离器 | 第17页 |
1.4.2 光纤电流传感器 | 第17-18页 |
1.4.3 激光陀螺 | 第18-19页 |
1.5 国内外研究现状 | 第19页 |
1.6 本文主要的研究内容 | 第19-21页 |
第二章 TGG粉体制备及其表征 | 第21-33页 |
2.1 液相共沉淀法制备TGG粉体及表征 | 第21-25页 |
2.1.1 化学试剂 | 第21页 |
2.1.2 实验仪器 | 第21-22页 |
2.1.3 测试设备 | 第22页 |
2.1.4 样品制备 | 第22-25页 |
2.2 共沉淀法样品测试 | 第25-30页 |
2.2.1 XRD测试分析 | 第25-28页 |
2.2.2 红外光谱分析 | 第28页 |
2.2.3 热重-示量差热分析 | 第28-29页 |
2.2.4 扫描电镜 | 第29页 |
2.2.5 拉曼光谱分析 | 第29-30页 |
2.3 高温固相烧结法制备TGG粉体及表征 | 第30-31页 |
2.3.1 实验试剂 | 第30页 |
2.3.2 测试设备 | 第30-31页 |
2.3.3 样品制备 | 第31页 |
2.4 样品测试 | 第31页 |
2.5 本章小结 | 第31-33页 |
第三章 TGG晶体生长工艺研究 | 第33-43页 |
3.1 提拉法 | 第33-34页 |
3.1.1 生长原理 | 第33页 |
3.1.2 晶体生长装置 | 第33页 |
3.1.3 影响因素 | 第33-34页 |
3.1.4 Cz法生长晶体的优点 | 第34页 |
3.2 晶体生长传输动力学 | 第34-35页 |
3.2.1 热量传输 | 第34-35页 |
3.2.2 质量传输 | 第35页 |
3.2.3 动量传输 | 第35页 |
3.3 晶体生长实验 | 第35-42页 |
3.3.1 原料的制备 | 第35-36页 |
3.3.2 原料的压制 | 第36页 |
3.3.3 晶体生长设备装置及工艺参数 | 第36-37页 |
3.3.4 工艺设计 | 第37-39页 |
3.3.5 晶体生长过程 | 第39-42页 |
3.4 本章小结 | 第42-43页 |
第四章 晶体的测试 | 第43-50页 |
4.1 XRD测试 | 第43-44页 |
4.1.1 挥发物 | 第43页 |
4.1.2 坩埚底料 | 第43-44页 |
4.2 透过率 | 第44页 |
4.3 吸收率 | 第44-45页 |
4.4 拉曼散射光谱 | 第45-46页 |
4.5 费尔德常数测试 | 第46-48页 |
4.6 静态消光比分析 | 第48-49页 |
4.7 光学均匀性 | 第49页 |
4.8 本章小结 | 第49-50页 |
第五章 结论 | 第50-52页 |
致谢 | 第52-53页 |
参考文献 | 第53-54页 |