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离子束刻蚀制作中阶梯光栅研究

中文摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第一章 绪论第9-15页
    1.1 引言第9页
    1.2 课题研究背景及意义第9-13页
    1.3 中阶梯光栅国内外研究现状第13-14页
    1.4 本论文的研究工作第14-15页
第二章 离子束刻蚀技术及其图形演化过程第15-24页
    2.1 离子束刻蚀技术简介第15-19页
        2.1.1 离子源系统第15-17页
        2.1.2 离子束刻蚀特性研究第17-19页
    2.2 刻蚀图形演化过程第19-23页
        2.2.1 线段算法原理简介第19-20页
        2.2.2 高级线段算法流程及关键因素第20-23页
    2.3 小结第23-24页
第三章 中阶梯光栅的制作第24-41页
    3.1 引言第24页
    3.2 同质掩模法制作闪耀光栅工艺流程第24-26页
    3.3 同质掩模设计的理论分析第26-29页
    3.4 光刻胶掩模的制作第29-31页
    3.5 同质掩模的制作第31-38页
        3.5.1 光刻胶、铬双层掩模的制作第31-36页
        3.5.2 RIE刻蚀制作同质掩模第36-38页
    3.6 倾斜刻蚀制作中阶梯光栅第38-40页
    3.7 小结第40-41页
第四章 衍射效率分析第41-54页
    4.1 引言第41页
    4.2 FDTD原理介绍第41-44页
        4.2.1 FDTD简介第41-42页
        4.2.2 FDTD基本原理第42-44页
    4.3 理想槽形与实际槽形衍射效率的计算第44-49页
    4.4 实际槽形衍射效率的测量第49-53页
    4.5 小结第53-54页
第五章 总结与展望第54-56页
    5.1 总结第54-55页
    5.2 展望第55-56页
参考文献第56-60页
攻读硕士学位期间发表的学术论文第60-61页
致谢第61页

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