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红荧烯体系结构、溶剂效应以及光电性能的密度泛函理论计算

摘要第4-6页
Abstract第6-8页
1 绪论第12-26页
    1.1 引言第12页
    1.2 有机半导体材料第12-16页
        1.2.1 有机电致发光材料第13-14页
        1.2.2 有机光致发电材料第14-15页
        1.2.3 有机电子传输材料第15-16页
    1.3 红荧烯及衍生物概述第16-18页
        1.3.1 红荧烯及衍生物的结构第16-18页
        1.3.2 红荧烯及衍生物的性能与应用第18页
    1.4 计算化学在有机半导体材料中的应用第18-21页
        1.4.1 计算化学简介第18-19页
        1.4.2 计算化学在有机半导体领域的发展现状第19-21页
    1.5 研究的意义及内容第21-22页
        1.5.1 研究意义第21页
        1.5.2 研究内容第21-22页
    参考文献第22-26页
2 理论方法简介第26-38页
    2.1 第一性原理第26-27页
        2.1.1 绝热近似处理第26-27页
        2.1.2 单电子近似第27页
    2.2 密度泛函理论简介第27-28页
        2.2.1 Hohenberg-Kohn理论第27-28页
        2.2.2 Kohn-Sham理论第28页
    2.3 溶剂效应第28-32页
        2.3.1 溶剂-溶质相互作用第28-30页
        2.3.2 红外光谱法确定官能团第30页
        2.3.3 理论计算研究溶剂效应第30-32页
    2.4 光电传输基本理论第32-35页
        2.4.1 激发态过程第32-34页
        2.4.2 载流子传输过程第34-35页
    参考文献第35-38页
3 溶剂对红荧烯及衍生物结构的影响第38-58页
    3.1 红外光谱法研究谱带位移第38-41页
        3.1.1 计算体系及方法第38-40页
        3.1.2 红荧烯理论与实验IR图谱第40-41页
    3.2 红荧烯及衍生物在各类溶剂中的谱带位移第41-53页
        3.2.1 红荧烯及衍生物在气态下的IR谱图第41-43页
        3.2.2 红荧烯及衍生物在醇类溶剂中的谱带位移第43-46页
        3.2.3 红荧烯及衍生物在含质子溶剂中的谱带位移第46-48页
        3.2.4 红荧烯及衍生物在惰性溶剂中的谱带位移第48-50页
        3.2.5 红荧烯及衍生物在含极性官能团溶剂中的谱带位移第50-53页
    3.3 纯溶剂中红荧烯及衍生物的谱带规律探讨第53-57页
        3.3.1 特征峰振动频率与AN的关系第53-54页
        3.3.2 特征峰振动频率与DN的关系第54-55页
        3.3.3 特征峰振动频率与溶剂参数E_T(30)的关系第55-56页
        3.3.4 特征峰振动频率与溶剂参数S的关系第56-57页
    3.4 小结第57-58页
4 红荧烯体系的光电性能第58-69页
    4.1 红荧烯体系的光学性能研究第58-65页
        4.1.1 红荧烯体系结构第58-59页
        4.1.2 红荧烯分子结构计算第59页
        4.1.3 红荧烯及衍生物基态结构第59-61页
        4.1.4 红荧烯体系吸收谱第61-62页
        4.1.5 红荧烯体系激发态第62-65页
    4.2 红荧烯体系的电学性能研究第65-68页
        4.2.1 前线分子轨道第65-67页
        4.2.2 电离势,电子亲和能与重组能第67-68页
    4.3 小结第68-69页
5 结论与展望第69-71页
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果第71-72页
致谢第72页

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