| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-18页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 碘化铅半导体 | 第11-12页 |
| 1.2.1 碘化铅的结构 | 第11-12页 |
| 1.2.2 碘化铅的性质 | 第12页 |
| 1.3 半导体的表面带弯 | 第12-15页 |
| 1.3.1 半导体的能带弯曲 | 第13页 |
| 1.3.2 空间电荷区 | 第13-14页 |
| 1.3.3 半导体表面态对光生电荷和光催化反应的影响 | 第14-15页 |
| 1.4 半导体的光电压效应 | 第15-17页 |
| 1.4.1 表面电场引起的光电压现象 | 第15-16页 |
| 1.4.2 电场诱导下的表面光电压 | 第16-17页 |
| 1.5 立题思想和主要内容 | 第17-18页 |
| 第二章 实验部分与表征手段 | 第18-25页 |
| 2.1 实验原材料及表征设备 | 第18-19页 |
| 2.2 实验方法 | 第19-21页 |
| 2.2.1 2H型碘化铅的制备 | 第19页 |
| 2.2.2 退火实验方法 | 第19-20页 |
| 2.2.3 表面光电压测试方法 | 第20-21页 |
| 2.2.4 光催化实验方法 | 第21页 |
| 2.3 表征与测试手段 | 第21-25页 |
| 2.3.1 样品晶体结构 | 第21-22页 |
| 2.3.2 样品形貌表征 | 第22页 |
| 2.3.3 紫外-可见光分光光谱测试 | 第22-23页 |
| 2.3.4 表面光电压谱 | 第23页 |
| 2.3.5 瞬态光电压测试系统 | 第23-25页 |
| 第三章 2H型PbI_2微晶的光伏特性及光催化性能 | 第25-37页 |
| 3.1 引言 | 第25-26页 |
| 3.2 PbI_2微晶的表征及性能分析 | 第26-36页 |
| 3.2.1 PbI_2微晶的晶相及结构分析 | 第26页 |
| 3.2.2 PbI_2微晶的SEM及EDX分析 | 第26-27页 |
| 3.2.3 PbI_2微晶的紫外-可见漫反射吸收光谱分析 | 第27页 |
| 3.2.4 PbI_2微晶的表面光伏性能分析 | 第27-31页 |
| 3.2.5 光电压衰减时间分析 | 第31-33页 |
| 3.2.6 光电特性-光催化MO分析 | 第33-36页 |
| 3.3 本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 PbI_2微晶退火后的光电特性转变 | 第37-50页 |
| 4.1 引言 | 第37页 |
| 4.2 PbI_2微晶退火后的表征及性能分析 | 第37-48页 |
| 4.2.1 PbI_2微晶退火后的晶相及结构分析 | 第37-38页 |
| 4.2.2 PbI_2微晶退火后的SEM及EDX分析 | 第38-39页 |
| 4.2.3 PbI_2微晶退火后的紫外-可见漫反射吸收光谱分析 | 第39-40页 |
| 4.2.4 PbI_2微晶退火后的表面光伏性能表征 | 第40-44页 |
| 4.2.5 瞬态光电压分析 | 第44-46页 |
| 4.2.6 退火后PbI_2微晶的光电压衰减时间分析 | 第46-47页 |
| 4.2.7 光电特性-光催化MO分析 | 第47-48页 |
| 4.3 本章小结 | 第48-50页 |
| 结论 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-57页 |
| 攻读硕士期间发表学术论文 | 第57页 |
