摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5页 |
第1章 绪论 | 第8-19页 |
1.1 晶体生长意义及方法简介 | 第8-9页 |
1.2 光学浮区法基本原理 | 第9-10页 |
1.3 光学浮区法晶体生长实验参数的研究现状 | 第10-14页 |
1.3.1 预制棒特征 | 第10-11页 |
1.3.2 晶体生长速度 | 第11-12页 |
1.3.3 生长气氛和气压 | 第12页 |
1.3.4 温度梯度和熔区温度 | 第12-13页 |
1.3.5 转速 | 第13-14页 |
1.4 晶体生长数值模拟技术研究现状 | 第14-17页 |
1.4.1 晶体生长数值模拟方法 | 第14-15页 |
1.4.2 晶体生长数值模拟的发展 | 第15-17页 |
1.5 研究课题的提出 | 第17-18页 |
1.6 本论文研究目的与主要内容 | 第18-19页 |
第2章 数值模拟方法及实验设备 | 第19-27页 |
2.1 ANSYS有限元软件热分析原理及服务器配置 | 第19-21页 |
2.1.1 ANSYS有限元热分析 | 第19-21页 |
2.1.2 ANSYS有限元数值模拟软件及服务器配置 | 第21页 |
2.2 光学浮区法晶体生长及材料表征 | 第21-27页 |
2.2.1 光学浮区炉主要参数 | 第21-22页 |
2.2.2 光学浮区法生长晶体简介及预制棒制作工艺流程 | 第22-24页 |
2.2.3 材料及光学特性表征设备 | 第24-27页 |
第3章 光学浮区晶体生长温度场数值模拟研究 | 第27-47页 |
3.1 有限元仿真模型的建立 | 第27-33页 |
3.1.1 材料及熔区几何模型的建立 | 第27-28页 |
3.1.2 光源模型的建立 | 第28-31页 |
3.1.3 边界条件的加载 | 第31页 |
3.1.4 仿真计算条件及温度场表征 | 第31-33页 |
3.2 晶体生长参数对温度场的影响 | 第33-46页 |
3.2.1 光源功率百分比对温度场的影响 | 第34-36页 |
3.2.2 光源灯丝厚度对熔区的影响 | 第36-38页 |
3.2.3 预制棒半径对温度场的影响 | 第38-40页 |
3.2.4 熔区中心半径对温度场的影响 | 第40-42页 |
3.2.5 熔区高度对温度场的影响 | 第42-44页 |
3.2.6 生长材料的热导率对温度场的影响 | 第44-46页 |
3.3 光学浮区法晶体生长参数的优化 | 第46页 |
3.4 本章小结 | 第46-47页 |
第4章 光学浮区法生长晶体温度场的实验验证 | 第47-63页 |
4.1 工艺参数对TiO_2晶体生长温度场的实验验证 | 第47-51页 |
4.1.1 光源功率对熔区的影响 | 第47-49页 |
4.1.2 光源灯丝几何尺寸对熔区的影响 | 第49-50页 |
4.1.3 预制棒直径对熔化温度的影响 | 第50页 |
4.1.4 熔区几何形貌对熔区稳定性的影响 | 第50-51页 |
4.2 工艺参数对TiO_2晶体生长质量的影响 | 第51-52页 |
4.3 TiO_2晶体最优生长参数的实验验证 | 第52-54页 |
4.4 SBN生长参数优化及实验验证 | 第54-56页 |
4.5 用于生成ANSYS命令的程序 | 第56-62页 |
4.5.1 模拟参数的设定和命令的生成 | 第56-59页 |
4.5.2 ANSYS命令的调用 | 第59-62页 |
4.6 本章小结 | 第62-63页 |
结论与展望 | 第63-65页 |
参考文献 | 第65-71页 |
攻读硕士学位期间完成的学术论文及申请的专利 | 第71-72页 |
致谢 | 第72页 |