首页--数理科学和化学论文--晶体学论文--晶体生长工艺论文

光学浮区法晶体生长温度场数值模拟研究

摘要第4-5页
Abstract第5页
第1章 绪论第8-19页
    1.1 晶体生长意义及方法简介第8-9页
    1.2 光学浮区法基本原理第9-10页
    1.3 光学浮区法晶体生长实验参数的研究现状第10-14页
        1.3.1 预制棒特征第10-11页
        1.3.2 晶体生长速度第11-12页
        1.3.3 生长气氛和气压第12页
        1.3.4 温度梯度和熔区温度第12-13页
        1.3.5 转速第13-14页
    1.4 晶体生长数值模拟技术研究现状第14-17页
        1.4.1 晶体生长数值模拟方法第14-15页
        1.4.2 晶体生长数值模拟的发展第15-17页
    1.5 研究课题的提出第17-18页
    1.6 本论文研究目的与主要内容第18-19页
第2章 数值模拟方法及实验设备第19-27页
    2.1 ANSYS有限元软件热分析原理及服务器配置第19-21页
        2.1.1 ANSYS有限元热分析第19-21页
        2.1.2 ANSYS有限元数值模拟软件及服务器配置第21页
    2.2 光学浮区法晶体生长及材料表征第21-27页
        2.2.1 光学浮区炉主要参数第21-22页
        2.2.2 光学浮区法生长晶体简介及预制棒制作工艺流程第22-24页
        2.2.3 材料及光学特性表征设备第24-27页
第3章 光学浮区晶体生长温度场数值模拟研究第27-47页
    3.1 有限元仿真模型的建立第27-33页
        3.1.1 材料及熔区几何模型的建立第27-28页
        3.1.2 光源模型的建立第28-31页
        3.1.3 边界条件的加载第31页
        3.1.4 仿真计算条件及温度场表征第31-33页
    3.2 晶体生长参数对温度场的影响第33-46页
        3.2.1 光源功率百分比对温度场的影响第34-36页
        3.2.2 光源灯丝厚度对熔区的影响第36-38页
        3.2.3 预制棒半径对温度场的影响第38-40页
        3.2.4 熔区中心半径对温度场的影响第40-42页
        3.2.5 熔区高度对温度场的影响第42-44页
        3.2.6 生长材料的热导率对温度场的影响第44-46页
    3.3 光学浮区法晶体生长参数的优化第46页
    3.4 本章小结第46-47页
第4章 光学浮区法生长晶体温度场的实验验证第47-63页
    4.1 工艺参数对TiO_2晶体生长温度场的实验验证第47-51页
        4.1.1 光源功率对熔区的影响第47-49页
        4.1.2 光源灯丝几何尺寸对熔区的影响第49-50页
        4.1.3 预制棒直径对熔化温度的影响第50页
        4.1.4 熔区几何形貌对熔区稳定性的影响第50-51页
    4.2 工艺参数对TiO_2晶体生长质量的影响第51-52页
    4.3 TiO_2晶体最优生长参数的实验验证第52-54页
    4.4 SBN生长参数优化及实验验证第54-56页
    4.5 用于生成ANSYS命令的程序第56-62页
        4.5.1 模拟参数的设定和命令的生成第56-59页
        4.5.2 ANSYS命令的调用第59-62页
    4.6 本章小结第62-63页
结论与展望第63-65页
参考文献第65-71页
攻读硕士学位期间完成的学术论文及申请的专利第71-72页
致谢第72页

论文共72页,点击 下载论文
上一篇:安徽县域电子商务服务业发展水平测度研究
下一篇:国有企业中层经理情绪智力与直系下属员工工作绩效关系研究