基于65nm SRAM的低失调自启动灵敏放大器的分析与设计
摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4页 |
第一章 绪论 | 第7-14页 |
1.1 研究背景及意义 | 第7-9页 |
1.2 SRAM灵敏放大器电路失调问题 | 第9-12页 |
1.3 本论文的主要研究工作 | 第12页 |
1.4 本论文架构 | 第12-13页 |
1.5 本章小结 | 第13-14页 |
第二章 常用灵敏放大器及其控制电路 | 第14-35页 |
2.1 常用灵敏放大器电路 | 第14-22页 |
2.1.1 电流镜型灵敏放大器 | 第16-18页 |
2.1.2 交叉耦合型灵敏放大器 | 第18-19页 |
2.1.3 电压锁存型灵敏放大器 | 第19-20页 |
2.1.4 单端检测灵敏放大器 | 第20-21页 |
2.1.5 反相器型灵敏放大器 | 第21-22页 |
2.2 灵敏放大器的时序控制电路 | 第22-29页 |
2.2.1 反相器链延迟技术 | 第23-24页 |
2.2.2 复制位线延迟技术 | 第24-27页 |
2.2.3 自开启技术 | 第27-29页 |
2.3 灵敏放大器失调电压简介 | 第29-33页 |
2.3.1 偏差电压的原因 | 第29-30页 |
2.3.2 偏差电压的计算方法 | 第30-32页 |
2.3.3 偏差的影响和重要性 | 第32-33页 |
2.3.4 偏差电压发展趋势 | 第33页 |
2.4 本章小结 | 第33-35页 |
第三章 灵敏放大器失调补偿技术 | 第35-47页 |
3.1 电容补偿技术 | 第35-42页 |
3.1.1 偏差存储技术 | 第37-38页 |
3.1.2 自调零补偿技术 | 第38-39页 |
3.1.3 电荷再分配偏差抵消技术 | 第39-40页 |
3.1.4 阈值电压存储补偿技术 | 第40-41页 |
3.1.5 数字补偿技术 | 第41-42页 |
3.2 背栅效应补偿技术 | 第42-46页 |
3.2.1 背栅效益(体效应) | 第42-44页 |
3.2.2 背栅效应在灵敏放大器失调补偿中的应用 | 第44-46页 |
3.3 本章小结 | 第46-47页 |
第四章 低失调自启动型灵敏放大器 | 第47-61页 |
4.1 新型灵敏放大器的设计 | 第47-53页 |
4.1.1 自开启电路 | 第48-49页 |
4.1.2 放大电路 | 第49-51页 |
4.1.3 补偿电路 | 第51-53页 |
4.2 功能仿真与分析 | 第53-60页 |
4.2.1 SABBSA功能仿真 | 第54-56页 |
4.2.2 Monte Carlo仿真及结果分析 | 第56-59页 |
4.2.3 失调补偿仿真结果与分析 | 第59-60页 |
4.3 本章小结 | 第60-61页 |
第五章 总结与展望 | 第61-63页 |
5.1 总结 | 第61-62页 |
5.2 工作展望 | 第62-63页 |
参考文献 | 第63-67页 |
致谢 | 第67-68页 |
攻读硕士学位期间的研究成果 | 第68页 |