单原子及多原子薄膜生长的蒙特卡罗模型
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-15页 |
| 1.1 课题研究背景和意义 | 第8-9页 |
| 1.2 薄膜生长的计算模型 | 第9-13页 |
| 1.2.1 薄膜生长的数值模拟方法 | 第9-10页 |
| 1.2.2 势函数理论与模型 | 第10-12页 |
| 1.2.3 基于蒙特卡罗法计算的模型 | 第12-13页 |
| 1.3 计算机模拟薄膜生长的研究现状 | 第13-14页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第14-15页 |
| 2 薄膜三维生长和蒙特卡罗模型 | 第15-27页 |
| 2.1 薄膜的制备方法概述 | 第15-18页 |
| 2.1.1 干式法 | 第15-17页 |
| 2.1.2 湿式法 | 第17-18页 |
| 2.2 薄膜三维生长理论 | 第18-24页 |
| 2.2.1 薄膜生长模型 | 第18-20页 |
| 2.2.2 影响薄膜生长模式的因素 | 第20-21页 |
| 2.2.3 薄膜的生长过程 | 第21-24页 |
| 2.3 蒙特卡罗算法 | 第24-27页 |
| 2.3.1 蒙特卡罗法简介 | 第24-25页 |
| 2.3.2 蒙特卡罗法的基本步骤 | 第25页 |
| 2.3.3 蒙特卡罗模拟薄膜生长 | 第25-27页 |
| 3 单原子Ag薄膜的蒙特卡罗模拟 | 第27-36页 |
| 3.1 Ag薄膜简介 | 第27页 |
| 3.2 Ag薄膜的KMC模型 | 第27-30页 |
| 3.3 模拟结果分析 | 第30-34页 |
| 3.3.1 影响因素—基底温度 | 第32-33页 |
| 3.3.2 影响因素—沉积速率 | 第33-34页 |
| 3.4 本章小结 | 第34-36页 |
| 4 二元金属Ti-Al薄膜的蒙特卡罗模拟 | 第36-46页 |
| 4.1 Ti-Al薄膜简介 | 第36页 |
| 4.2 Ti-Al薄膜的KMC模型 | 第36-40页 |
| 4.3 模拟结果分析 | 第40-45页 |
| 4.3.1 影响因素—基底温度 | 第41-42页 |
| 4.3.2 影响因素—沉积速率 | 第42-43页 |
| 4.3.3 影响因素—粗糙度 | 第43-45页 |
| 4.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 5 三原子Ti-Si-N薄膜的蒙特卡罗模拟 | 第46-52页 |
| 5.1 Ti-Si-N薄膜简介 | 第46页 |
| 5.2 Ti-Si-N薄膜的KMC模型 | 第46-48页 |
| 5.3 模拟结果分析 | 第48-51页 |
| 5.3.1 影响因素——N的流速 | 第48-50页 |
| 5.3.2 影响因素—Si的含量 | 第50-51页 |
| 5.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 结论 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-60页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
