| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 主要符号对照表 | 第9-11页 |
| 第1章 引言 | 第11-35页 |
| 1.1 压电和铁电材料 | 第11-12页 |
| 1.2 钙钛矿结构铁电材料 | 第12-16页 |
| 1.2.1 钙钛矿结构 | 第12-13页 |
| 1.2.2 钙钛矿结构铁电材料的发展历史 | 第13-16页 |
| 1.3 准同型相界 | 第16-22页 |
| 1.3.1 准同型相界的组成和性能 | 第16-17页 |
| 1.3.2 准同型相界的结构和相图 | 第17-19页 |
| 1.3.3 准同型相界组分高压活性的原因及其结构和性能的温度稳定性 | 第19-22页 |
| 1.4 弛豫铁电单晶的研究现状 | 第22-31页 |
| 1.4.1 PZN-PT和PMN-PT弛豫铁电单晶的生长 | 第22-23页 |
| 1.4.2 高T_(rt)铅基弛豫铁电单晶的生长 | 第23-27页 |
| 1.4.3 Mn~(2+)掺杂的铅基弛豫铁电单晶的生长 | 第27-31页 |
| 1.5 本文研究的内容 | 第31-35页 |
| 1.5.1 问题的提出 | 第31页 |
| 1.5.2 高T_(rt)优化方法的选择 | 第31-33页 |
| 1.5.3 研究内容和方案 | 第33-35页 |
| 第2章 四元系高T_(rt)弛豫铁电材料的MPB组分设计 | 第35-46页 |
| 2.1 PT基高T_(rt)弛豫铁电材料的组分设计 | 第35-38页 |
| 2.1.1 钙钛矿结构铁电材料MPB组分的居里温度Tc与非PT组元容忍因子t的关系 | 第35-36页 |
| 2.1.2 钙钛矿结构铁电材料的MPB组分的三方—四方相变温度T_(rt)与非PT组元容忍因子t的相互关系预测 | 第36-38页 |
| 2.2 多元系高T_(rt)弛豫铁电材料各组元的选择 | 第38-39页 |
| 2.3 多元系准同型相界的设计原则 | 第39-44页 |
| 2.3.1 三元系弛豫铁电材料准同型相界的线性组合规律 | 第40-41页 |
| 2.3.2 多元系弛豫铁电材料的准同型相界设计原则 | 第41-44页 |
| 2.4 四元系高T_(rt)弛豫铁电材料的MPB组分设计 | 第44页 |
| 2.5 本章总结 | 第44-46页 |
| 第3章 四元系高T_(rt)弛豫铁电材料MPB组分筛选与性能研究 | 第46-81页 |
| 3.1 (0.85-x)PMN-0.10PFN-0.05PZ-xPT四元系陶瓷的研究 | 第46-55页 |
| 3.1.1 组分设计 | 第46-47页 |
| 3.1.2 实验方法 | 第47-48页 |
| 3.1.3 相结构和微观结构分析 | 第48-52页 |
| 3.1.4 电学性能分析 | 第52-55页 |
| 3.2 (0.9-x-y)PMN-0.1PFN-yPZ-xPT四元系陶瓷的研究 | 第55-63页 |
| 3.2.1 组分选择与实验方法 | 第55页 |
| 3.2.2 相结构分析 | 第55-57页 |
| 3.2.3 电学性能分析 | 第57-61页 |
| 3.2.4 温度稳定性的研究 | 第61-63页 |
| 3.3 (1-x-y-z)PMN-z PIN-y PZ-xPT四元系陶瓷的研究 | 第63-76页 |
| 3.3.1 组分选择与实验方法 | 第63-65页 |
| 3.3.2 相结构和微观结构分析 | 第65-69页 |
| 3.3.3 电学性能测试 | 第69-76页 |
| 3.4 压电常数温度稳定机制的研究 | 第76-79页 |
| 3.5 本章总结 | 第79-81页 |
| 第4章 缓冷法生长四元系高T_(rt)弛豫铁电单晶 | 第81-98页 |
| 4.1 PMN-PFN-PZ-PT单晶生长研究 | 第81-89页 |
| 4.1.1 PMN-PFN-PZ-PT单晶的组分的选择 | 第81页 |
| 4.1.2 晶体的生长、加工工艺和测试方法 | 第81-82页 |
| 4.1.3 晶体的形貌、成分和结构分析 | 第82-85页 |
| 4.1.4 晶体的电学性能测试 | 第85-89页 |
| 4.2 PMN-PIN-PZ-PT单晶生长 | 第89-96页 |
| 4.2.1 PMN-PIN-PZ-PT四元单晶的组分选择和生长工艺 | 第89-90页 |
| 4.2.2 晶体的形貌、成分和相结构分析 | 第90-93页 |
| 4.2.3 晶体的电学性能测试 | 第93-96页 |
| 4.2.4 PMN-PIN-PZ-PT单晶的畴结构观察 | 第96页 |
| 4.3 本章总结 | 第96-98页 |
| 第5章 坩埚下降法生长四元系高T_(rt) PMN-PIN-PZ-PT弛豫铁电单晶 | 第98-108页 |
| 5.1 晶体生长组分的选择 | 第98-99页 |
| 5.2 晶体的生长、加工和表征手段 | 第99页 |
| 5.3 晶体形貌和结构分析 | 第99-101页 |
| 5.4 室温电学性能的分析 | 第101-103页 |
| 5.5 介电性能和退极化强度随温度的变化 | 第103-105页 |
| 5.6 压电性能的电场和温度响应 | 第105-106页 |
| 5.7 本章总结 | 第106-108页 |
| 第6章 Mn~(2+)掺杂对PIN-PMN-PT单晶性能的影响和相关机制的研究 | 第108-131页 |
| 6.1 样品的制备 | 第108-109页 |
| 6.2 极化工艺 | 第109-110页 |
| 6.3 内偏场及其产生机制 | 第110-118页 |
| 6.3.1 内偏场的各向异性 | 第110-112页 |
| 6.3.2 内偏场随时间的变化 | 第112-113页 |
| 6.3.3 内偏场的产生机制 | 第113-118页 |
| 6.4 掺杂对电学性能的影响 | 第118-128页 |
| 6.4.1 介电常数随时间和内偏场的变化 | 第118-121页 |
| 6.4.2 掺杂对压电和介电性能的本征和非本征贡献的影响 | 第121-124页 |
| 6.4.3 Mn~(2+)掺杂对机械品质因子的影响 | 第124-128页 |
| 6.5 Mn:PIN-PMN-PT单晶电学性能和机械品质因子的抗老化性能研究 | 第128-130页 |
| 6.6 本章总结 | 第130-131页 |
| 第7章 结论与展望 | 第131-133页 |
| 7.1 研究结论 | 第131-132页 |
| 7.2 前景展望 | 第132-133页 |
| 参考文献 | 第133-145页 |
| 致谢 | 第145-147页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第147-148页 |
