| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 注释表 | 第13-14页 |
| 第1章 绪论 | 第14-22页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第14-15页 |
| 1.2 研究现状 | 第15-17页 |
| 1.2.1 Ge/Si异质结的研究现状 | 第15-16页 |
| 1.2.2 光电探测器的研究现状 | 第16-17页 |
| 1.3 光电探测器的应用 | 第17-20页 |
| 1.3.1 光纤通信系统的应用 | 第17页 |
| 1.3.2 光接收机中的应用 | 第17-18页 |
| 1.3.3 光子计数成像中的应用 | 第18-20页 |
| 1.4 论文研究内容和结构 | 第20-22页 |
| 第2章 光电探测器的分类及原理 | 第22-43页 |
| 2.1 PIN型光电探测器 | 第22-23页 |
| 2.2 MSM型光电探测器 | 第23-24页 |
| 2.3 波导增强型光电探测器 | 第24页 |
| 2.4 雪崩光电探测器 | 第24-30页 |
| 2.4.1 雪崩倍增过程 | 第24-27页 |
| 2.4.2 APD的工作原理 | 第27-28页 |
| 2.4.3 SACM-APD | 第28-29页 |
| 2.4.4 台面结构APD的结构和原理 | 第29页 |
| 2.4.5 WG SACM-APD | 第29-30页 |
| 2.5 Ge/Si异质结以及波导理论 | 第30-37页 |
| 2.5.1 Ge/Si异质结 | 第30-32页 |
| 2.5.2 波导理论 | 第32-35页 |
| 2.5.3 波导的分类 | 第35-37页 |
| 2.6 APD的性能参数 | 第37-42页 |
| 2.6.1 量子效率 | 第37-38页 |
| 2.6.2 响应度 | 第38-39页 |
| 2.6.3 暗电流 | 第39-40页 |
| 2.6.4 噪声 | 第40-41页 |
| 2.6.5 响应速度 | 第41-42页 |
| 2.7 本章小结 | 第42-43页 |
| 第3章 Ge/Si波导APD探测器结构设计与仿真设计 | 第43-67页 |
| 3.1 Ge/Si波导APD器件的设计原则 | 第43-44页 |
| 3.2 Ge/Si波导型APD的设计 | 第44-59页 |
| 3.2.1 波导的设计 | 第44-46页 |
| 3.2.2 Ge/Si WG SACM-APD器件结构的设计 | 第46-59页 |
| 3.3 Ge/Si波导APD器件的性能仿真分析 | 第59-64页 |
| 3.3.1 电场分布仿真分析 | 第59-61页 |
| 3.3.2 光暗电流仿真分析 | 第61-62页 |
| 3.3.3 响应度仿真分析 | 第62-63页 |
| 3.3.4 3dB带宽以及增益的仿真分析 | 第63-64页 |
| 3.4 Ge/Si WG SACM-APD与Ge/Si SACM-APD的比较 | 第64-66页 |
| 3.5 本章小结 | 第66-67页 |
| 第4章 Ge/Si WG SACM-APD等效电路分析 | 第67-83页 |
| 4.1 Ge/Si WG SACM-APD结构模型 | 第67-72页 |
| 4.1.1 Ge/Si WG SACM-APD的时域分析 | 第67-72页 |
| 4.1.2 Ge/Si WG SACM-APD的频域响应 | 第72页 |
| 4.2 WG SACM-APD的电路模型 | 第72-76页 |
| 4.3 光暗电流的仿真分析 | 第76-79页 |
| 4.4 电路模型的寄生效应 | 第79-80页 |
| 4.5 带宽的仿真分析 | 第80-81页 |
| 4.6 本章小结 | 第81-83页 |
| 第5章 总结与展望 | 第83-86页 |
| 5.1 总结 | 第83-84页 |
| 5.2 展望 | 第84-86页 |
| 参考文献 | 第86-90页 |
| 致谢 | 第90-91页 |
| 攻读硕士学位期间从事的科研工作及取得的成果 | 第91页 |
